射频集成纳米软磁薄膜的性能和应用研究-微电子学与固体电子学专业论文.docx

万方数据 万方数据 Research on Performance and Application of RF Integrated Nano Soft Magnetic Thin Films A Doctor Dissertation Submitted to University of Electronic Science and Technology of China Major: Microelectronics and solid electronics Author: Guijie Hao Advisor: Prof. Huaiwu Zhang School: School of Microelectronics and solid electronics 独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方 外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 作者签名： 日期： 年 月 日 论文使用授权 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘， 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 作者签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 摘 摘 要 摘 要 目前，开发磁集成器件技术是人们在电子信息领域面临的主要挑战，它在信 息存储、信息探测、信息传输、信息传感、信息识别等实际应用中发挥着不可替 代的作用。并且磁性薄膜已经涉及人们生产和生活的各个方面，如电源、电感、 变压器、传感器、电磁噪声抑制器、自旋微波源和 GMR 磁头等。然而微型集成电 子器件在进行信息交流、数据传输、电压电流变化和能量转换的同时，会产生高 密度、宽频谱的电磁信号，这就构成了复杂的电磁环境干扰。因此抗电磁干扰器 件，尤其是磁性薄膜集成 EMI 器件成为这一领域的热点。 为了满足实际应用高频化、集成化、高传输速率等要求，应用于微型磁性集 成电子器件中的磁性薄膜必须具备以下性能：（1）截止频率达到 3-4 GHz；（2） 工作频率下具有高磁导率；（3）纳米尺度下，方便的性能调控；（4）良好的电 磁匹配。基于对软磁性薄膜明确的性能要求，本论文研究对象包括 Fe 基与 Co 基 两种纳米薄膜体系，即采用直流磁控溅射制备并经电脉冲退火的纳米晶 CoNbZr 软磁性薄膜和射频磁控溅射制备的 FeCo-YSZ 纳米晶颗粒薄膜。系统地研究了影响 薄膜性能的因素、物理机制以及磁性能的调控，并选取 FeCo-YSZ 纳米晶颗粒薄 膜，集成 1-4 GHz 频段的薄膜噪声抑制器，对薄膜的性能进行验证，讨论了改进 薄膜噪声抑制性能的影响因素和方法。研究工作包括以下四个方面： 1、成功设计、搭建电脉冲退火系统。系统包括脉冲电流发生和测试平台两个 部分，脉冲电流发生部分可输出方波、尖顶波和三角波三种波形，其频率占空比 可调，最大峰值电流可达 2.5 A。通过对输出电流以及电阻的调节，测试平台具有 限流作用，同时接入的示波器可以对样品两端电压以及脉冲波形进行观察，电脉 冲输出功率在较大范围内可连续调节。 2、首次将电脉冲退火工艺应用于高频软磁性薄膜的纳米晶化后处理过程。通 过对直流磁控溅射的 CoNbZr 薄膜进行电脉冲退火，系统研究了薄膜的微观结构 以及磁性能。电脉冲退火后，纳米薄膜的饱和磁化强度从 7.89 kGs 升高到 12.67 kGs，同时铁磁共振场从 870 Oe 下降到 764 Oe，薄膜的自然共振频率达到 2.3 GHz。在退火功率为 0.54 W 时，不仅薄膜的饱和磁化强度、面内有效各向异性场 大幅度提高，并且薄膜微观晶粒也得到细化，薄膜的阻尼系数在该条件下明显变 化，这些现象与薄膜内部晶粒长大与晶核形成的竞争机制相关。 3、采用复合靶射频磁控溅射的工艺，首次将掺钇的氧化锆（YSZ）与 FeCo 合金两相复合，成功制备了具有颗粒薄膜结构的高频纳米软磁薄膜。FeCo-YSZ 软 I 磁性颗粒薄膜不仅具有良好的软磁性能，如高的饱和磁化强度、低的矫顽力、较 高的面内有效各向异性场，并且具有高的电阻率、截止频率和起始磁导率，并且 薄膜具有适当的阻尼系数，可以在 GHz 频段对磁性信号进行吸收抑制。研究发现， 通过掺杂绝缘非磁性相 YSZ，使之在 FeCo 磁性晶粒外部进行包覆，能有效细化磁 性晶粒、增强磁性