ch3 薄膜成形工艺 - 外延.pptVIP

第三章、薄膜成形工艺;定义:;与CVD相比，外延特点;气相外延生长的热动力学;N: 总的硅原子密度/ 所生长的硅原子数;气相外延步骤;;一个大气压下，Cl对H比例为0.06时，Si－Cl－H系统的平衡分压;气相外延生长速率;SiCl4浓度的饱和度的估算;根据进气中的Si/H比，可查出平衡比率。;SiCl4浓度的饱和度的估算例子;SiCl4/H2;硅气相外延工艺;生长速率;(2)温度;(3)气体流速;(3)生长速率还与反应腔横截面形状和衬底取向有关;系统与工艺流程;基座的HCl腐蚀去硅程序(去除前次外延后基座上的硅);外延生长程序;外延生长，H2：260L/min SiCl4:6.4-7g/min PH3:100PPM;0.15-0.18L/min T:1160-1190度，时间随品种而定;外延中的掺杂;在外延层的电阻率还会受到下列三种因素的干扰; 分子束外延;分子束外延是在超高真空环境中，把一定比例的构成晶体的组分和掺杂原子（分子）的气态束流，直接喷射到温度适应的衬底上，进行晶体外延生长的制膜方法. 在超高真空（UHV）条件下进行，生长速度非常低，通常在1um/h左右。超高真空的环境、低温和慢的生长速度，同时给碰撞原子提供了足够时间，使之沿衬底边沿扩散，进入适当的晶格格点，形成完美晶体。;MBE原理;特点:;MBE总体结