CN00755.一种大功率半导体激光器过渡热沉及其制备方法.docx

一种大功率半导体激光器过渡热沉及其制备方法 技术领域 本发明涉及一种大功率半导体激光器封装用过渡热沉及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。 背景技术 随着激光的问世，激光技术在各个技术领域得到了广泛的应用，由于半导体激光器具有体积小、功率大、性能稳定等优点，在工业、医学、军事等各领域都得到了广泛的应用。随着激光器封装技术的不断成熟，所需激光器功率不断增大，激光器封装难度也越来越高。针对激光器大功率的需求，一般有两种解决方法，将半导体芯片并联或串联。并联的方法是将金属热沉作为基底上面焊接半导体芯片以达到半导体芯片并联目的。但是并联方法封装的激光器有大电流小电压的特点，不利于激光器的后续使用。串联的方法是在金属热沉上先焊接一层过渡热沉，起到导热绝缘的目的，然后将多个半导体芯片焊接在过渡热沉上，通过电连接将多个半导体芯片串联起来，实现激光器使用时的小电流大电压。目前，大功率激光器普遍采用氮化铝陶瓷基板作为大功率激光器的过渡热沉以达到金属热沉与激光器管芯间的导热绝缘效果。但是氮化铝陶瓷基板的热导率偏低，其理论值为319W/m·K，而SiC晶体的热导率可达407W/m·K，因此大功率激光器封装技术可使用SiC晶体作为导热绝缘基板。为使SiC晶体与激光器管芯和热沉达到较好的焊接模式，需对SiC晶体进行进一步的加工。 中国专利文件CN1470348A《一种钨铜梯度热沉材料及其制备方法》提出了一