山东大学硕士答辩.ppt

*山东大学硕士学位论文答辩 山东大学硕士学位论文答辩 论文题目  导 师： 答 辩 人： 学 号： 专业名称： 山东大学 2012年5月 论文主要内容 一、 引言 二、 椭偏测量的基本原理 四、SiC材料的研究概述 五、SiC样品的制备与测量 三、晶体材料椭偏参数的计算 六、测量数据的处理与分析 一、引言 椭偏技术 文献综述 发展历史 椭偏仪的分类 优势及局限 发展趋势 选题背景 椭偏技术是一种研究待测样品的光学性质和表面形貌的测量技术手段。 由于其测量过程对样品的无损性以及高的测量精度等优点，在光学工业、电子工业、生物化学、金属材料等越来越多的领域具有广泛的应用和研究意义。 二、椭偏测量的基本原理 典型的椭偏仪的结构 测量光束在材料表面上反射光偏振态的变化情况来研究样品的光学性质和表面形貌 椭偏方程 椭偏参数 样品的光学性质 ① ③ 函数关系 ② 三、晶体材料椭偏参数的计算 各向同性材料 各向异性材料 三、晶体材料椭偏参数的计算 介电张量 折射率椭球 琼斯矩阵 各向同性： 各向异性： 其中， 各向异性材料的琼斯矩阵需要六个独立参量 来定义，而各向同性材料只需要两个独立参量 ，各向异性材料的椭偏参数的计算相当复杂，因此决定了其测量以及结果分析过程的复杂性。需广义椭偏仪。 然而有些特例会使整个过程大大简单化，普通椭偏仪即可。 C C C 三、晶体材料椭偏参数的计算 在这三种情况下，反射矩阵 ，反射光中p态和s态分量不发生耦合，反射矩阵变为对角阵，独立变量变为两个。 三、晶体材料椭偏参数的计算 此处： N1为环境媒介的折射率，空气， N1=1 一般情况下，更习惯于用介电函数来表示： 另两种情况，可以用相同的方法推导，此处不给出具体公式。 四、SiC材料的研究概述 10 9.6 9.7 9 12.8 11.8 介电常数 2.0 2.0 2.2 2.7 1.0 1.1 饱和迁移速度(107cm/s) 40 115 40 150 400 480 空穴迁移率(cm2/Vs) 400 1140 1000 1000 8500 1350 电子迁移率(cm2/Vs) 4.9 4.9 4.9 1.3 0.46 1.5 热传导率(W/cm-K) 2.5 2.2 1.2 3.3 0.4 0.25 临界电场(106V/cm) 1580 1580 1250 1130 760 600 最高工作温度(K) 3.02 3.26 2.23 3.39 1.43 1.12 禁带宽度 Excellent Excellent Excellent Good Fair Good 热稳定性 3100升华 3100升华 3100升华 1227 1510 1690 熔点(K) 6H-SiC 4H-SiC 3C-SiC GaN GaAs Si SiC材料：更大的禁带宽度 更稳定的化学性质 更小的体积、更有效率 完全去除开关损耗 低漏极电流 更高的开关频率 耐高温的工作能力 结构与功能 发展历史 国内研究进展 SiC材料 文献综述 高温、高频、大功率、抗辐射器件以及紫外探测器、短波发光二极管 四、SiC材料的研究概述 光致发光性质 (a)掺氮样品退火前PL谱，(b)掺氮样品退火后PL谱，(c)本征样品退火后PL谱 文章中对本征和掺氮6H-SiC在1050℃的PL谱做了对比分析，同时对417nm、436nm以及575nm光致发光峰的产生机理给出了解释与说明。 五、SiC样品的制备与测量 样品的设计 C C C 文献中报道了一种测量各向异性材料方法：测量既采用光轴平行于样品表面放置，又采用光轴垂直样品表面放置，通过对这两种情况下的测量数据综合分析得到实验结果。 A. Sassella,etc. Spectroscopic ellipsometry measurements on an anisotropic organic crystal: potassium acid phtalate, Thin Solid Films (1998) 347-350 . 缺陷：测量过程中光轴方向的不确定性 我们决定只采用光轴垂直于样品表面的方式进行测量，这样可以尽可能的避免上述实验误差。 五、SiC样品的制备与测量 另外一个