离子注入掺Er富硅氧化硅材料研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

离子注入掺铒富硅氧化硅材料研究离子注入掺铒富硅氧化硅材料研究 离子注入掺铒富硅氧化硅材料研究 离子注入掺铒富硅氧化硅材料研究 张昌盛(微电子与固体电子学) 指导老师：张峰研究员 摘要 Er”在石英基体材料中受激光致发光的波长大约是1540nm，这个波长是石 英光纤的最小损耗窗口，因而是以石英光纤为基础的光通讯的标准波长之一。掺 铒光纤放大器(EDFA)作为获得光增益的媒质是光纤通讯系统中极其重要的组 成部分。当前正在快速发展的城域网(MAN)、局域网(LAN)以及光纤到户 (FTTH)等系统中对波分复用(WDM)／密集波分复用(DWDM)光信号能量 衰减的补偿需要可集成的紧凑型、低成本掺铒光波导放大器(EDWA)。然而， Er3+在体硅中具有固溶度低和发光强度温度淬灭强的缺点，难以达到设计光波导 放大器的要求。一种新颖的敏化发光技术使获得室温高效硅基掺铒发光成为可 能。在掺铒的Si02中形成Si．tic．利用Si．nc对E，的敏化作用可以提高Er”对泵浦 光的有效吸收截面：利用Si．nc带隙和Er”跃迁能量之间较大的不匹配可以抑制温 度淬灭效应。 本文利用离子注入方法制备了富硅氧化硅(SRSO)和掺铒富硅氧化硅 (ErSRSO)材料，研究了材料微观结构和Er的化学状态随退火温度的演变。实 验结果表明注入Si02的富余Si原子经历了偏析集聚形成a-Si纳米颗粒继而在更高 温度转变成ne．Si的演化过程；在9000C以上温度退火，形成非晶SiO。层包覆rio．Si 的壳层结构；约9000C退火，形成具有光学活性的Er-O发光中心。 研究了富硅氧化硅和掺铒富硅氧化硅的光致发光特性以及退火对他们的影 响。结果表明Er3+的出现和浓度升高都对Si．nc的光致发光有淬熄作用，证实了 Si．nc与Er”强耦合模型的正确性；发现壳层结构中残余非晶硅层是激发态Er离子 非辐射去激发的通道之一，由此引起的能量背迁移是Er离子光致发光在T150K 温度淬灭的主要因素。 考虑到Er”通过Si．nc间接被激发的过程，我们对描述激发态Er3．的速率方程 进行了改写。与si02中Er”直接被激发不同，从ErSRSO系统速率方程的解中得到 l／r～勺函是非线性关系，并被实验结果所证实。根据实验结果拟合得到我们所 摘要制备ErSRSO材料巾Er“的有效吸收截面为O-cO-=f9．73土0．061×10“7CITl2，比在 摘要 制备ErSRSO材料巾Er“的有效吸收截面为O-cO-=f9．73土0．061×10“7CITl2，比在 Si02中Er离子直接吸收泵浦光的吸收截面大4个量级。 根据Si．RC与Er”之间的相互作用特点，类似于稀土元素共掺杂(如Yb和Er) 系统的能量传递过程，我们利用Forster模型关于偶极．偶极共振相互作用的理论 对Si．tic与Er”的耦合机制和能量传递过程进行了研究。根据掺铒和不掺铒si．nc 光致发光强度衰减之间的关系和实验结果，推导出Si．nc与Er”离子之间的耦合半 径(也IlqForsterCriticalRadius)R0=1．64rim，并根据此耦合半径和si．nc与Er离 子间的平均距离估算了系统能量传递的量子效率，其结果是17．45％。 关键词：离子注入，EDWA，光致发光，富硅氧化硅，Forster临界半径 中国科学院上海微系统与信．包技术研究所博士学位论文 离子注八掺铒富硅氧化硅材料研究Study 离子注八掺铒富硅氧化硅材料研究 Study on Er-Doped Silicon-Rich Silicon Oxidation Prepared by Ion Implation Zhang Changsheng(Micro-Electrics and Solid Electrics) Directed by：Professor Zhang Feng Abstract The stimulated photoluminescence(PL)of Er ions in a silica host matrix at the standard 1 540nm optical communication wavelength corresponds to the minimum attenuation in silica based fibers．EDFAs(Erbium—Doped Fiber Amplifiers)are important components for optical communication system as optical gain media． Compact and cost-effective integrated EDWAs(Erbium—Doped Waveguide Ampl