单片机的结构和原理-寄存器与片内存储器.ppt

SPMSC2 4 PDF 掉电标志—这个只读状态位指示MCU刚从停止1状态恢复。0-MCU没有从停止1状态恢复；1-MCU刚从停止1状态恢复。 3 PPDF 部分掉电标志—这个只读状态位指示MCU刚从停止2状态恢复 2PPDACK 部分掉电应答—给PPDACK写1清除PPDF和PDF位。 1 PDC 掉电控制位－该控制位置位允许进入掉电(停止2和停止1)模式，具体进入stop2还是stop1由下面控制位决定。该位只能写一次。 0 PPDC 部分掉电控制位－PPDC位控制选择哪个掉电状态。 0-如果PDC置1,允许停止1掉电状态。 1-如果PDC置1,允许停止2掉电状态。该位只能写一次。 停止掉电控制 2.2.3 重要寄存器的初始化 SPMSC2 停止掉电控制 在系统初始化中添加如下代码： flag_stop1 = 0; flag_stop2 = 0; if (SPMSC2_PDF) { // Check if recovering from stop1 flag_stop1 = 1; SPMSC2 = 0x06; // Reconfigure MCU for stop1 mode } if (SPMSC2_PPDF) { // Check if recovering from stop2 flag_stop2 = 1; SPMSC2 = 0x07; // Reconfigure MCU for stop2 mode } 2.2.3 重要寄存器的初始化 SPMSC3 低压警告与门槛设置 7 LVWF 低电压警告标志—LVWF位指示低电压警告状态。 0-没有出现低电压警告。 1-现在出现或者曾经出现低电压警告。 6 LVWACK 低电压警告应答 —如果低压状态取消，对LVWACK写1清除LVWF标志。 5 LVDV 低电压监测门槛电压值选择： 0-选择低的门槛电压值（VLVD = VLVDL=2.1V附近）； 1-选择高的门槛电压值（VLVD = VLVDH=1.8V附近）。 4 LVWV 选择低电压报警门槛值： 0-选择低门槛点（VLVW = VLVWL=2.1V附近）； 1-选择高门槛点（VLVW = VLVWH=2.4V附近）。 2.2.3 重要寄存器的初始化 void InitSysOpts() { SOPT1 = SOPT1val; // enable COP, STOP and BKGND SOPT2 = SOPT2val; // select cop clk SPMSC1 = SPMSC1_LVD_ON; // enable LVD as int, disabled in stop flag_stop1 = 0; flag_stop2 = 0; if (SPMSC2_PDF) { // Check if recovering from stop1 flag_stop1 = 1; SPMSC2 = 0x06; // Reconfigure MCU for stop1 mode } if (SPMSC2_PPDF) { // Check if recovering from stop2 flag_stop2 = 1; SPMSC2 = 0x07; // Reconfigure MCU for stop2 mode } } //end InitSysOpts 2.2.3 重要寄存器的初始化 IRQSC IRQ管脚的使用 6 IRQPDD 内部上拉电阻使能控制位，必须IRQPE=1该位才有意义。 0-上拉允许； 1-上拉禁止，可使用外部上拉。 4 IRQPE 置位该位使管脚当IRQ用。 3 IRQF IRQ事件标志位—该只读位为“1”时表示检测到IRQ事件。 2 IRQACK IRQ应答位—给这个只写位写“1”清除IRQF，如果中断模式选择的是“边沿和电平” （即IRQMOD=1),当IRQ管脚保持低电平时,写该位也不能清除IRQF。 1 IRQIE IRQ 中断使能—给该位写“1”将允许IRQF=1时产生硬件中断，该位写“0”时，只能采用查询的方式。 0 IRQMOD IRQ触发模式—即选择 “边沿”触发或者“边沿和电平” 触发。 0-IRQ事件只在下降沿触发； 1-IRQ事件在下降沿和低电平都能触发。 2.2.3 重要寄存器的初始化 SRTISC RTI的使用 7 RTIF 实时中断标志 —周期性实时时钟定时时间到时，设置该位为“1”。 6 RTIACK 实时中断应答