封装案例塑封工艺优化设计.PDF

SME XIDIAN SME XIDIAN UNIVERSITY UNIVERSITY 封装案例：塑封工艺优化设计 包军林 baoing@126.com 三种典型封装连接技术 Wire-Bonding Tape-Carrier Package Flip-Chip 微电子封装技术 © 2014 baoing 塑封流程 微电子封装技术 © 2014 baoing 塑封流程：芯片减薄 微电子封装技术 © 2014 baoing 塑封流程：芯片减薄  半导体集成电路用硅片4吋厚度为520μm，6吋厚度为670μm。这样就对芯片的切 分带来困难。因此电路层制作完成后，需要对硅片背面进行减薄，使其达到所需 要的厚度，然后再进行划片加工，形成一个个减薄的裸芯片。  先划片后减薄和减薄划片两种方法 DBG(dicing before grinding) 在背面磨削之前，将硅片的正面切割出一 定深度的切口，然后再进行磨削。 DBT(dicing by thinning) 在减薄之前先用机械的或化学的方法切割出一 定深度的切口，然后用磨削方法减薄到一定厚度后，采用常压等离子腐蚀 技术去除掉剩余加工量。。 这两种方法都很好地避免了或减少了减薄引起的硅片翘曲以 这两种方法都很好地避免了或减少了减薄引起的硅片翘曲以 及划片引起的边缘损害，大大增强了芯片的抗碎能力。 及划片引起的边缘损害，大大增强了芯片的抗碎能力。 微电子封装技术 © 2014 baoing 塑封流程：芯片减薄 减薄厚硅片粘在一个带有 金属环或塑料框架的薄膜 （常称为蓝膜）上，送到划 片机进行划片。现在划片机 都是自动的，机器上配备激 光或金钢石的划片刀具。切 割分部分划片（不划到底， 留有残留厚度）和完全分割 划片。对于部分划片，用顶 针顶力使芯片完全分离。划 片时，边缘或多或少会存在 微裂纹和凹槽这取决于刀具 的刃度。这样会严重影响芯 片的碎裂强度。 硅片背面减技术主要有： 磨削、研磨、化学抛光、 干式抛光、电化学腐蚀、湿 法腐蚀、等离子增强化学腐 蚀、常压等离子腐蚀等 微电子封装技术 © 2014 baoing 塑封流程：芯片贴膜 微电子封装技术 © 2014 baoing 塑