扇形分裂漏磁敏场效应晶体管相对灵敏度研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

浙江大学硕士学位论文摘要 浙江大学硕士学位论文 摘要 本文的主要研究内容是扇形分裂漏磁敏场效应晶体管(MAGFET)相对灵 敏度模型。 随着社会和科技的飞速进步，已有传感器技术已经不能完全适应越来越复 杂的应用环境。现代传感技术对传感器发展提出了新的要求，小型化、集成化、 网络化、智能化，以及多参量多维度传感成为大势所趋。MAGFET是一种基于 标准CMOS制造工艺的磁敏传感器，与集成电路制造流程完全兼容，它将磁信 号转换成电信号输出，可以与信号处理电路直接相连，完成传感器系统的单片 集成，十分适应现代智能传感器系统的发展趋势。 扇形分裂漏磁敏场效应晶体管是一种新结构MAGFET，实验测试其相对灵 敏度最高为3．77％厂r，高于已报导的传统矩形MAGFET灵敏度水平，因而研究 其灵敏度模型极具意义。 本文通过如下两种方法对扇形分裂漏磁敏场效应晶体管的相对灵敏度进行 研究： 一、数值模拟法。通过数值方法求解一组半导体物理方程，得到器件内部 电压电流分布规律，再利用灵敏度与电流密度关系得到扇形MAGFET的数值 模型。在数值模拟中使用包含磁场信息的沟道电荷方程，在载流子迁移率公式 中引入磁场调制效应，与传统方法相比，提高了模拟精度； 二、解析法。利用保角变换构造了扇形器件与矩形器件的物理映射关系， 在该映射关系下得到扇形分裂漏MAGFET的几何修正因子。几何修正因子是 联系器件沟道内部