加热制程工艺概论.ppt

;目标;主题;定义;简介;集成电路制程流程;;水平式炉管;;;;源气柜;氧化的氧来源;扩散源;沉积源;退火源;排气系统;装载晶圆, 水平式系统;装载晶圆, 垂直式系统;热制程对温度相当的敏感 必要的精密温度控制 ?0.5 °C,中央区带 ?0.05%在 1000 °C;温度控制系统;反应室;水平式高温炉;;石英炉管;石英管清洗;碳化硅管;温度控制反-弯曲 法;水平式高温炉;水平高温炉;高温炉;垂直石英炉;;较小的占地空间;较好的污染物控制;较好的晶圆控制;硬件设备综述;氧化;氧化;简介;;硅元素的事实;氧的一些事实;氧化的应用;扩散的阻挡;表面钝化的应用;;;衬垫氧化层的应用;组件绝缘的应用;;;硅的局部氧化;牺牲氧化层的应用;组件介电质的应用;80年代至今;不当清洗的硅表面上生成的二氧化硅结构;;美国无线电公司(RCA)的清洗;高纯度去离子水或是去离子水清洗后使用H2SO4:H2O2 溶液. 在去离子水洗涤, 旋干 且 / 或 烘干 (100到 125 °C)后，以高压净化或浸在加热的浸泡槽中，.;强氧化剂可以移除有机残留的污染物. 去离子水清洗后，使用H2SO4:H2O2 或NH3OH:H2O2溶液 在以去离子水洗涤, 旋干 且 / 或 烘干 (100 到 125 °C)后，以高压净化或浸在加热的浸泡槽中. ;HCl:H2O. 在去离子水洗涤, 旋干 且 / 或 烘干