扩镓基区晶体管负阻效应的研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

存在的机理，具有重大的理论价值，潜在着广阔的应用前景。 存在的机理，具有重大的理论价值，潜在着广阔的应用前景。 本文首先概括介绍了si表面及SiO：-Si内界面的结构与特性，Ga在Si02-si 复合结构中的扩散特性，Ga的分凝规律，叙述了硅中Ga掺杂的研究现状。通过对 Ga掺杂在分立器件领域中应用的分析，展望了硅中Ga掺杂的广泛应用前景。重点 介绍了目前开管Ga扩散工艺的发展现状和开管扩镓晶体管负阻效应的研究现状。 第二章是实验部分。首先介绍了制备各种样品所用的实验仪器、设备与方法； 第二节中介绍了实验系统。包括氧化系统、扩散系统，第三节介绍了样品的制备， 包括Ga的预沉积、再分布、二次氧化样品，扩硼样品．以及扩镓晶体管、扩硼晶 体管和扩镓后再补充扩硼晶体管的制备流程；实验所得样品，借助二次离子质谱 (SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针薄层电阻等先进的测试分析方法进行分析。 第三章主要研究内容包括：本章首先通过对扩硼晶体管、扩镓晶体管和扩镓 后再补充扩硼晶体管有关参数的测试，提出了负阻效应，通过对三种管子的比较 分析发现，负阻与小电流下电流放大系数的关系；第二节分析了影响小电流放大 的主要因素，这些因素与杂质浓度分布特别是在近硅表面的分布有密切关系；第 三节分析了Ga在Si．SiOz结构中近硅表面微区域浓度的变化规律，Ga扩散过程的 三个阶段包括预沉积、再分布和二次氧化，对应于Ga在Si．Si02结构近硅表面杂 质出现三次丢失，导致从近硅表面到硅体内微区域出现杂质耗尽，这种低杂质分 布是造成小电流放大性能的劣化的主导因素；第四节讨论了这种杂质分布对负阻 的影响，并结合晶体管的二维结构，用工艺软件SUPREM-II[模拟了不同部位的杂质 分布，进一步验证了负阻效应与Ga杂质分布的关系，明确了负阻存在的机理，最 后提出了减小负阻的措施。 关键词：Ga，负阻效应。SiOt．Si内界面。 近硅表面，表面复合速度，侧 空间电荷区 分类号：TN305．4 AbstractInvestigation Abstract Investigation of Negative Resistance in Ga—Diffusion transistor Abstract Transistor is viewed as a very important amplification and switching device in micro-electric field．It consists of many species，ofwhich high-voltage transistor is playing a key role in national productions．With the development of doping technology,the formation of the base region in high-voltage transistor can be made by B diffusion technology,B—A1 paste-layer diffusion technology,close-tube Ga-diffusion technology and open—tube gaUium-diffusion technology． At the initial stage of planar technique，B was employed as ideal diffusion impurity in base-region of NPN Si planar devices because of the match of its solid—solubility and diffusion coefficient in Si with those of P in emission-region,and the good shield effect of Si02 film to B．But because ofthe relatively large solubility(5xl俨／em3 ai 1000C)and the small diffusion coefficient,the linear slowly-changed distribution of aeceptor B in PN junction Can not be formed,which could not cater to the requirement ofhigh-reversal-voltage devics．Thereafter B-AI paste-layer diffusion technology and cl