冷壁化学气相沉积法制备纳米碳管-材料学专业论文.docxVIP

两北工业大学硕士学位论文 两北工业大学硕士学位论文 摘要 摘 要 纳米碳管具有极强的量子效应和奇异的物理化学性能，如极高的机械强度、 特殊的导电性、高的比表面积和极强的吸附性，存在着许多潜在的应用前景。化 学气相沉积法(CVD)是最有可能实现纳米碳管工业化生产的方法因而倍受关注。 文献中关于CVD法生长纳米碳管的影响因素存在许多相互矛盾的提法，基于此 现状本文做了进’一步的研究。 本文采用冷壁化学气相沉积装置制备纳米碳管，讨论了不同的催化剂种类 (镍、铁)和厚度(20rim、80nm)、基体(单晶硅、石墨、纯铁)、稀释气体(氨 气、氢气、氮气)和流量比(2／1、10／1、19／1)，以及温度(700℃、850℃)等条 件对CVD法生长纳米碳管的影响。通过SEM和TEM分析了不同条件下产物的 形貌和结构，取得以下主要结果： 在两种单金属催化剂中，镍的催化活性高于铁的催化活性，催化剂薄膜的厚 度决定着生长纳米碳管的直径。与石墨和纯铁基体相比，以单晶硅基体生长的纳 米碳管纯度更高，管壁更干净。其原因可能是单晶硅表面原子排列非常整齐，具 有高度光滑和均匀的表面条件。三种氢气的流量比(2／1、10／l、19／1)中，以流 量比为10／1时，生长纳米碳管效果最好。随着生长温度的升高，催化剂的活性提 高，有利于碳的有序排列，生长的碳纳米管直径增大。氨气对纳米碳管的定向排 列影响显著，而氢气、氮气则无影响。当基体为单晶硅、催化剂镍膜厚度为20rim、 氨气气氛、生长温度为850℃时，得到了定向生长的纳米碳管。其原因可能是830 ℃时氨气分解的氢原子和无定形炭生成了易挥发物质，从而保持催化剂的活性使 纳米碳管依靠相邻碳管之间的斥力定向生长。以单晶硅为基体，镍催化的CVI)法 生长纳米碳管属于基底生长模型。从催化剂颗粒上端析出的碳，逐渐向空间生长。 关键词：冷壁CVD：纳米碳管：催化剂：基体；稀释气体；流量比；温度；定向 生长；生长机理 西北工业大学硕士学位论文 西北工业大学硕士学位论文 摘要 Abstract Because of unique molecular structure and properties，such as high aspect ratio、large surface area、remarkable mechanical strenIgth，carbon nanotubes (CNTs)has been paid wide attention to．This paper described briefly its preparation methods、growth mechanisms and potential applications． The growth of CNTs using CVD was conducted in the cool-wall heating oven on three substrates(monoerystalline silicon、iron、graphite)、two catalysts(iron、 nickle)、two catalyst thickness(20nm，80nm)，three diluted gases(ammonia， hydrogen、nitrogen)、three flux ratio(2／1、1011、19／1)、under 700℃and 8506C． respectively．SEM and TEM were used to investigate the growth behaviors as a function of the catalyst、substrate、growth temperature and diluted gas．The main research findings were as follows： Nickel had a higher catalysis than iron in the growth of CNTs，and the thickness of catalyst affected the diameter of CNTs．Compared graphite and iron， when monocrystalline silicon was used as the substrate，CNTs had a higher purity． The involved reason was that monocrystalline silicon had a higher smooth and uniform surface．The flux ratio of diluted gases was hold as