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导体、绝缘体和半导体的能带论 导体、绝缘体和半导体的能带论 .1. 能带的填充与导电性. E (k ) E (=−k ) (1) 2 2 k E k =+ ( ) Δ (2) 2m E 是k 的偶函数，v(k)是k 的奇函数。在电场下，dk =−eEτ/ 对满带，k 与-k 的电子数相等，I = 0 。 图1 .2. 金属、绝缘体和半导体 a) 对Ag ，Au ，Cu 及碱金属， 每原子含一个价电子。 b) 碱土金属，二个价电子，对一维情况能带填满，为绝缘体；三维晶体各方 向上带宽不等的能带产生重迭，结果仍然是金属。 c) 对Al ，S，P 等，p 带半满。 d) 对C，Si，Ge 等，半导体。 图2 1 导体、绝缘体和半导体的能带论 .3. 空穴的慨念 在能带中空的轨道常叫空穴。空穴在外电场和外磁场的作用下就象带正电+e 一样。我们通过以下五步来说明： 1) kk =−ke （3 ） 对于满带，电子的总波矢为零，∑k 0 ，此结果是从布里渊区的几何 对称性得到的：即对每一个基本类型的格子，都存在着关于任一格点的反演 对称性（r →−r ）；从而倒格子及布里渊区亦存在着反演对称性。如果能带 中所有的轨道对都被填满，则总波矢为零。 k k 如果轨道中一个波矢为 的电子逸失，则系统的总波矢为- ，这也就是 e e 空穴的波矢。结果令人吃惊：电子从ke 处逸失，于是在色散关系图中（图4 ） k k −k 空穴亦处于 的位置。但是空穴真实的波矢 ，亦即如果空穴中图中 e k e 的E点，则其波矢在图中的G点。空穴波矢- ke 加入到光子吸收的选择定则中。 空穴是能带中一个电子逸失后的另一种描述， 我们要么说空穴具有波矢 - ke ，要么说一个电子逸