第1章 天线基础知识.pptVIP

而以同样的阵元数目和阵轮廓尺寸排列的xOy平面上的八元圆环阵（即半径为7×0.25λ/2），却能达到8.1的方向系数。实际上，尽管规则布阵对场地或载体有更苛刻要求，但是任意布阵却更具优越性，这对实际的阵列构造是很有价值的，此时，计算机的辅助设计在任意阵列结构优化时就显得十分重要。 图1―5―21 八元均匀直线阵和圆环阵的阵因子方向图 (a) 八元均匀直线阵阵因子方向图； (b) 八元均匀圆环阵的阵因子方向图 移动通信基站天线 旁瓣抑制：是指减少第一上旁瓣能量。 为了覆盖效果，基站天线的工作状态通常是带有下倾角：机械下倾、电下倾角 为了覆盖效果，基站天线的工作状态通常是带有下倾角的（无论是机械下倾还是电下倾角），这样就会导致天线的第一上旁瓣可能处于水平位置甚至低于水平位置，这样就容易接收到邻区主瓣直接或间接照射过来的信号，造成邻区干扰。 ，另外上旁瓣还浪费了天线辐射的能量，因此，上旁瓣应该尽量抑制，尤其是能量较大的第一上旁瓣。 如今在复杂的电磁环境下，并不一定只有第一上旁瓣会接收到干扰信号或干扰其它区，因此不仅第一上旁瓣需抑制，更高旁瓣也需抑制。 至于如何设计上旁瓣抑制，原理上是基于雷达阵列天线的零点对消技术，即是在不需要的副瓣位置产生一个零点，与副瓣抵消形成抑制。具体的实施方式有很多种，有相位加权、幅度加权、幅相加权、不等间距设计等等。 零点填充：是指在天线的垂直面内，下旁瓣第一零点采用波束赋形设计加以填充，以改善对基站近区的覆盖，减少近区覆盖死区和盲点。即解决塔下黑，提高覆盖区域内的信号强度。 1.6 对称振子阵的阻抗特性 当两个以上的天线排阵时，某一单元天线除受本身电流产生的电磁场作用之外，还要受到阵中其它天线上的电流产生的电磁场作用。有别于单个天线被置于自由空间的情况，这种电磁耦合（或感应）的结果将会导致每个单元天线的电流和阻抗都要发生变化。此时，可以认为单元天线的阻抗由两部分组成，即一部分是不考虑相互耦合影响时本身的阻抗，称为自阻抗；另一部分是由相互感应作用而产生的阻抗，称为互阻抗。对于对称振子阵，互阻抗可以利用感应电动势法比较精确地求出，因此这一节以对称振子阵为例介绍天线阵的阻抗特性，其基本思路仍可适用于其它天线阵。 1.6.1 二元阵的阻抗 设空间有两个耦合振子排列，如图1―6―1所示，两振子上的电流分布分别为I1(z1)和I2(z2)。以振子1为例，由于振子2上的电流I2(z2)会在振子1上z1处线元dz1表面上产生切向电场分量E12，并在dz1上产生感应电动势E12dz1。 图 1―6―1 根据理想导体的切向电场应为零的边界条件，振子1上电流I1(z1)必须在线元dz1处产生-E12，以满足总的切向电场为零，也就是说，振子1上电流I1(z1)也必须在dz1上产生一个反向电动势-E12dz1。 为了维持这个反向电动势，振子1的电源必须额外提供的功率为 （1―6―1） 因为理想导体既不消耗功率，也不能储存功率，因此dP12被线元dz1辐射到空中，它实际上就是感应辐射功率。由此，振子1在振子2的耦合下产生的总感应辐射功率为 （1―6―2） 同理，振子2在振子1的耦合下产生的总感应辐射功率为 （1―6―3） 互耦振子阵中，振子1和2的总辐射功率应分别写为 （1―6―4） 式中，P11和P22分别为振子单独存在时对应Im1和Im2的自辐射功率。可以将式（1―6―4）推广而直接写出P11和P22的表达式 （1―6―6） （1―6―5） 如果仿照网络电路方程，引入分别归算于Im1和Im2的等效电压U1和U2，则振子1和2的总辐射功率可表示为 （1―6―7） 回路方程可写为 （1―6―8） 式中，Z11、Z22分别为归算于波腹电流Im1、Im2的自阻抗（Selfimpedance）；Z12为归算于Im1、Im2的振子2对振子1的互阻抗（MutualImpedance），Z21为归算于Im2、Im1的振子1对振子2的互阻抗。它们各自的计算公式如下: 可以由电磁场的基本原理证明互易性：Z12=Z21。 （1―6―9） 图1―5―11 例1―5―3的立体方向图 通过以上实例的分析可以看出，加大间隔距离d会加大波程差的变化范围，导致波瓣个数变多；而改变电流激励初始相差，会改变阵因子的最大辐射方向。常见二元阵阵因子见图1 ― 5―12。 图1―5―12 二元阵阵因子图形 1.5.2