嵌入式系统的高速度大容量非易失随机数据存储.PDFVIP

维普资讯 专题论述 嵌入式系统的高速度 大容量非易失随机数据存储 ■埃派克森微电子有限公司 -陵肇 乾 介绍现代高速度大容量非易失随机数据存储的性能特点和典型器件；分析对比常见各种高速度大容量非 摘 要 易失随机数据存储器件的关键特性；阐述如何在嵌入式应用体系设计中选择合适的高速度大容量非易失 随机 数据存储器件 。 关键词 EPROM SLC／MLC Flash BBSRAM NVSRAM FRAM MRAM 非易失存储 特别指出：文中存储器的速度是指读 ／写操作访 问存 1 常见高速度大容量非易失随机数据存储 储器的速率，实际应用 中并行存储器速度常用一次读 ／写 高速度、大容量 、非易失、随机存储是现代嵌入式应用 操作的时间周期表示，如 7O～140BS；串行存储器常用每 体系数据存储的迫切需要 ，特别是大量的测 ／控过程参变 秒读 ／写操作 的二进制位 数 (即时 间频 率)表示，如 25 量、音 ／视频数据、高速通信数据包 、可变配置文件等的存 M Hz。 储 。高速度是指存取访 问速度快 ，对于并行接 口存储器为 2 高速度大容量非易失随机存储器件综述 几到几十秒级，对于串行存储器波特率为几百 kbps到几 十Mbps。大容量是指以尽可能小的芯片体积得到尽可能 2．1 电擦除可编程存储器EPROM 大的数据存储密度，通常为几百千位到几百兆位 。非易失 电擦 除可 编程 只读 存 储器 E2PROM (Electrically 是指存储数据不会因上 ／掉 电和外界干扰而变化消失。随 ErasableProgrammableROM)是基于浮栅型场效应管的 机存储是指可以对数据存储陈列的任何地址 以任何大小 隧道效应现象使浮栅带电或不带电从而进行数据存储的。 存取访问。显然，还应该做到形小、价廉 、易用。 E2PROM器件具有非易失性 ，可随时改写。其工作方式 面对这些需求 ，自然会想 到 SRAM (StaticRandom 有 3种：读、写、擦除。读操作速度很快，写与擦除操作往 AccessMemory，静态随机访 问存储器)、DRAM(Dynamic 往时间很长 ，常用 “页写 ／擦除”形式 ，并用 RAM 缓冲以提 RAM，动 态存 储器)和 Flash(FlashMemory，闪速存储 高擦除速度 ，还有若干 “页”构成的扇区擦除和整体擦除。 器)。SRAM 速度快、存取访 问随机、接 口简单、操作控制 EPROM器件的重复擦写次数在 1O～1O次，掉 电数据 简易，DRAM存储容量大，Flash数据非易失。嵌入式应 保存时间达 1O年 ，通常为 5V、3．3V、3V、2．7V、2．5V 用体系中需要的就是这些类型存储器的优势综合和缺陷 或 1．8V单 电源供 电。Saifun提 出的OuadNROM 新技 回避的改进型或新型存储器件 。 术，使传统存储单元上存储的数据信息扩大了一倍，同时 能够部分或全部满足 “高速度、大容量、非易失 、随机 也大大提高了读 ／写访 问速度 。该项技术应用于EPROM 数据存取访问”的存储器件主要有 6种，如图1所示 。 产生了很多大密度 、高速度、小体积存储器件。 常用高速度大容量非易失存储器件的接 口类型如图 常用 EPROM 器件有 8位并行 的 EPROM 和 SPI、 2所示 。