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第 43 卷第 11 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 43 ，No. 11
2 0 1 5 年 1 1 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY November ，2015
DOI ：10.14062/j.issn.0454-5648.2015.11.04
综 合 评 述
硫系非晶薄膜的光致能隙变化及相关机理研究进展
陈国荣
(华东理工大学材料科学与工程学院，无机材料研究所，上海 200237)
摘 要：以硒基硫系非晶薄膜的光诱导效应开展的研究工作为基础，对硫系薄膜光致能隙变化的可调节性和稳定性及相关机
理等方面的最新研究进展进行了综述，重点阐述了 GexAs45–x Se55 系列非晶薄膜的光致暗化和光致漂白效应与组成之间的相关
关系，Ge Se 系统富硒和富锗组成薄膜的光致漂白效应及机理，光致氧化效应对 GeSe /Ge Se 非晶薄膜光致能隙变化的影
x 100–x 2 2 3
响，以及氧掺杂对 Ge–Se 系统非晶薄膜光致漂白行为的影响。
关键词：硒基硫系非晶薄膜；光致能隙变化；光稳定性；光致氧化效应
中图分类号：TQ171.73 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2015)11–1531–19
网络出版时间：2015–10–13 01:31:00 网络出版地址：/kcms/detail/11.2310.TQ1331.018.html
Recent Studies on Photo-Induced Energy-Gap Changes and the Mechanism on Amorphous
Chalcogenide Films
CHEN Guorong
(Institute of Inorganic Materials, School of Materials Science and Engineering, East China University of Science and Technology,
Shanghai 200237, China)
Abstract: This paper summarized recent studies on the photo-induced effects on the energy-gap of selenium based chalcogenide films,
the adjustable photo-induced energy-gap changes, photo-stability and the relevant mechanism. The studies involve the relationship
between film composition and photo-darkening/bleaching effects in the Ge As Se system, photo-bleaching effects on Ge Se
x 45–x 55 x 100–x
films ranging from Se-rich to Ge-rich compositions, photo-oxidizing effects on photo-induced energy-g
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