合理使用电路基础知识以及集成电子运用应用技术-双极型半导体晶体管.pptVIP

4.6.2 双极型晶体管的电流分配关系 4.6.4 晶体管的特性曲线 这里，B表示输入电极，C表示输出电极，E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。 iB是输入电流，uBE是输入电压，加在B、E两电极之间。 iC是输出电流，uCE是输出电压，从C、E两电极取出。 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和uBE之间的函数关系。因为有集电极电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除uCE变化的影响，在讨论输入特性曲线时，应使uCE=const(常数)。 共发射极接法的输入特性曲线见图4.6.4。其中UCE=0V 的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当UCE≥1V时， 特性曲线将向右稍微移 动一些。但UCE再增加时， 曲线右移很不明显。 共发射极接法的输出特性曲线是以IB为参变量的一族特 性曲线。 运动到集电结的电子基本上 都可以被集电区收集，此后 UCE再增加，电流也没有明 显的增加，特性曲线进入与 UCE轴基本平行的区域 。 输出特性曲线可以分为三个区域: 晶体管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 1. 集电极最大允许电流ICM 当集电极电流增加时，? 就要下降，当?值下降到线性放大区?值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。可见，当IC＞ICM时，并不表示晶体管会损坏。但电流放大能力明显减弱。 集电极电流通过集电结时所产生的功耗 PCM= ICUCB≈ICUCE， 因发射结正偏， 呈低阻，所以功耗主 要集中在集电结上。 在计算时往往用UCE 取代UCB。 反向击穿电压表示晶体管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图4.6.7所示。 1.U(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标 BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB代表集电极和 基极，O代表第三个电极E开路。 双极型晶体管的参数 4.6.6 晶体管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 双极型晶体管管 场效应晶体管 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm) 双极型晶体管 场效应晶体管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大