第10章 气相沉积技术.pptVIP

* * ☆蒸发出来的原子和离子具有19~100eV的能量,成束射向工件,形成膜层.沉积速率10~1000nm/s 附录3 多弧离子镀装置示意图(接第13片) 至真空泵 弧靶 70V,100A ◇原理 工件架 阴极为多个弧靶组成,靶材为蒸发源;用水冷却 工件架为阳极,工作时产生旋转 ☆容器内真空度0.1~1Pa 阴极 阳极 工作室 ☆阳/阴极之间通过引弧电极点燃,靠低压大电流维持弧光放电过程 放电过程在靶上表现为许多直径很小的放电弧斑(辉点),因此实际放电密度非常大,电流达105~107A/cm2 M靶蒸发,发生电离 工件 引弧电极 一般为10~25V,电流可达数百A 辉点直径1~100μm ◇若向蒸镀室内通入反应气体,则可形成化合物层 阳极相对于地为负电位 * * 附录4 磁控溅射离子镀装置示意图(接第13片) 至真空泵 ◇原理 永久磁铁 阴极为磁控靶,靶材为膜材(蒸发源),后部为永久磁铁 靶附近设有磁控阳极 磁控溅射+离子镀相结合的技术 基板(工件) 工作室 室内真空度(10－3~10－4)Pa时充入氩气,并使其维持在10－2~10－3Pa 将磁控靶加上400~1000V电压 磁控电源 氩气电离发生辉光放电,氩离子轰击靶材 溅射出来的靶材原子部分离化,在基板负偏压的作用下获得加速 成束射向工件,形成膜层 ☆基板(工件)加有负偏压 N S N 氩气 离子镀电源 磁控阳极 磁控靶 参见第7/13片 可用于取代电镀锌/镉/铬;在工模具上获得质优的TiN镀层 ①膜－工件基体之间具有明显过渡层,镀层结合力好; ②镀层由均匀颗粒状晶体构成 ③采用合金靶材,能使材料B合金化 ☆特点 膜层 * * 真空室分为镀膜室和电子枪工作室,由压差板隔开 附录5 活性反应离子镀装置示意图(接第13片) 至真空泵 ☆原理 基板 指在离子镀过程中导入与M蒸汽起反应的气体获得化合物镀层 电子枪 真空室 镀膜室真空度(10－2~10－3)Pa,而电子枪室为10－3Pa以上,以确保电子枪正常工作 反应气体 通入的反应气体按需要有O2/ N2/ C2H2/ CH4等 ◇电子束使物料蒸发并激发出二次电子,其受探测电极的吸引并被加速 高活性的镀料离子和反应气体离子在探测电极和基板的空间里化合或中和,沉积于基板(工件)B 反应气体和镀料蒸汽受电子轰击而激发/电离,产生等离子区 真空机组 反应气导入环 电源 探测电极 压差板 ＋ — 物料 参见电子束蒸镀(第6片) 又防止蒸发物落到电子枪工作室内 * * 附录6 活性反应离子镀特点(接附录5) ②可以方便地获得同类混合物,但具有不同配比/结构/性质的镀层 ④沉积速度快,可达数μm/min ③几乎可制取所有的M和化合物镀层 ①电离增加了反应物的活性,在较低T下可获附着力好的TiC/TiN涂层 高速钢刀具超硬层处理在500℃左右 因采用大功率/高密度的电子束蒸发源 ☆特点 ☆不足 因沉积速度快而不能用于需要沉积速度低,以保证获得高质量薄膜的电子/光学/音响类部件 降低电子枪功率会降低电离效果,甚至辉光熄灭 ☆增强活性反应离子镀 ＋ 探测电极 电源 — 增强电极 在探测电极下方设一增强极,发射低能电子 低能电子在受探测电极吸引加速的同时会与被蒸发的镀料/反应气体原子碰撞而增强离化 可降低电子束蒸发功率,实现低蒸镀速率 ◇完善活性反应离子镀的不足 * * 10.1.3等离子增强CVD (附录7接第20片) 采用高频发生器使反应室内气体产生辉光放电 由反应室+气体控制系统+电气系统构成 图:PECVD原理示意图 激发产生的等离子体大大加速反应过程 ☆该设备常用于沉积Si3N4,反应T350~400℃左右,沉积速度50~100nm/min 扩散泵 加热器 SiH4+Ar 试样 高频发生器 反应室 质量流量计 N2 等离子体激发反应 ☆ PECVD特点 ①沉积T低;可在不耐高温的材料上实现沉积 机械泵 质量流量计 如:沉积TiN膜,反应T500℃左右; ②膜与基材结合力高,成膜速度快 离子具有溅射清洁基材B和轰击效应 ③可制膜层材料范围广 等离子体蒸发,使难发生反应的材料沉积成膜 等离子区 * * ①在常温下比较稳定且容易处理 ②反应生成的的副产物不会妨碍晶体的生长,不会污染生长层 ③在常温左右应具有适当的蒸汽压(10Pa) ,以适应气相生长 10.1.4 金属有机化合物CVD (附录8接第20片) 在单晶衬底B沿原来的结晶轴向生成一层晶格完整的新单晶层 Metal Organic MOCVD是利用有机M热分解反应,通过外延生长获得B覆层的方法 ◇主要用于化合物半导体覆层;采用的沉积原料为M烷基化合物/一些非M的氢化物 表:部分元素周期表 周期 ⅡB族 ⅢA ⅣA ⅤA