第二章 功能陶瓷材料的合成与制备精编版.ppt

二、烧结的影响因素 1.温度及保温时间 一般，提高烧结温度，延长保温时间，会不同程度地促进烧结完成，完善坯体的显微结构。但温度过高，保温时间过长，易导致晶粒异常长大，出现过烧现象，反而使烧结体的性能下降。 2.烧结气氛：一般材料如TiO2、BeO、Al2O3等，在还原气氛中烧结，氧可直接从晶体表面逸出，形成缺陷结构，利于扩散，从而利于烧结。 3.压力 ：成型压力增大，坯体颗粒堆积紧密，相互接触点和接触面积增大，烧结也被加速。热压与普通烧结相比，MgO在15MPa下，烧结温度降低了200 ℃ ，密度提高了2％，而且这种趋势随压力的增高而加剧。 4.添加剂 纯陶瓷材料有时很难烧结，所以常添加一些烧结助剂，以降低烧结温度，改变烧结速度。当添加剂能与烧结物形成固溶体时，将使晶格畸变而得到活化，使扩散和烧结速度增大，烧结温度降低。如在Al2O3的烧结中添加少量TiO2，可使烧结温度由1800 ℃降低到1600 ℃。 5.粉体的粒度 粉体越细，表面能越高，烧结越容易。如普通TiO2烧结温度为1300 ℃ ～1400 ℃ ，而纳米级范围内30nm的TiO2烧结温度只有1050 ℃。 § 2.3 陶瓷显微结构的变化 成型以后的陶瓷坯件在烧结之前，颗粒间靠黏合剂保持一定形状，存在许多气孔，在烧结过程中，随温度的升高，孔隙逐渐缩小，颗粒间发生反应而紧密结合，最终形成由很多个晶粒构成的烧结体。 一、晶粒长大 晶粒长大的驱动力来源于原子从凸面晶粒位置移到凹面晶粒位置时所释放的自由能，原因在于凹面位置原子的紧邻原子数更多，处于更稳定的低能态。从晶界的整体看，晶界朝向曲面中心而移动，导致大晶粒吞没小晶粒而长得更大。 二、显微结构 陶瓷多晶体由许多取向不同的单个晶粒组成，晶粒与晶粒之间存在晶界或相界。显微镜下观察陶瓷，发现主要由三种结构：晶体相、玻璃相和气孔 晶体相是陶瓷的基本结构，是由陶瓷化合物的原子按一定规则排列而形成的晶体结构；玻璃相是由陶瓷各组成物和杂质的原子无规则排列而形成的非晶态结构。晶粒间一般填满玻璃相，此外还有一定量的气孔存在。 一般，陶瓷多晶体主要有晶相、晶界、玻璃相、气孔（包括晶界上的孔隙和晶粒内的孔隙）、偏析在晶界上的杂质组成。晶粒大小主要由原料颗粒大小、杂质及烧结条件所决定。 晶界的结构 杂质在晶界上有聚集的趋势，可形成如图所示的三种结构。 一是晶界分隔沉积层，这是晶界两侧形成的杂质离子层，杂质溶解在晶界中。 二是扩散沉积层，当杂质浓度超过饱和时，将在晶界上析出，形成另外一种结晶相。 三是粒状沉积物，当杂质的浓度远超过饱和时，且其熔点较烧结温度高，杂质将以粒状形态析出于晶界上。 当多晶陶瓷存在液相夹杂物、固相夹杂物以及气孔或气相时，陶瓷表面的晶界相交处会形成沟纹，体内两相相交处也会形成浸润角或两面角ф，他决定于晶界能与固－液或固－气的界面能。如图所示，并有关系式： § 2.4烧结后材料的加工处理及几何检测 研磨加工：是一种粘接在砂轮上的单个金刚石颗粒对材料的重复性开槽，在开槽过程中随着加载增加，塑性形变和中间裂纹产生，当研磨压力减小时侧面的裂纹又出现。侧面裂纹被认为可使材料研磨，而中心裂纹则相当于机加工裂纹。通常存在一个临界荷载，在此压力下产生机加工裂纹，而低于该值，仅产生塑性变形。 抛光：待磨产品的棱角通过置于旋转容器内的研磨浆料被磨圆滑，从而获得光滑表面。 几何检测 肉眼直观：制品表面、疵点、裂纹、不平整度等。内部常用显微拍照。 几何控制检测：包括对式样尺寸、表面粗糙度、非平直度和偏心度等的检测。 对于大尺寸（约100mm）制品相对标准公差可控在0.1％，而对于小尺寸制品（10mm）相对标准公差通常会增大，如，增至1％。 表面粗糙度测量：采用表面光度仪，通过一笔尖沿中心轨迹记录样品高度。对于粗糙度传统的参数是中心线平均值（CLA）或Ra，定义为： 式中，n是中心线上点数，在此线上可测得轮廓线偏差Zi。中心线可将轮廓区分为上下两部分，两部分面积相等。 采用扫描隧道显微镜（STM)和原子力显微镜(AFM)来测量表面粗糙度则比较容易。 本章小结1 1、原料粉体的制备 类别 方 法 固相法 机械粉磨法、固相反应法、固相热分解法、自蔓延高温合成法、机械合金化法等 液相法 沉淀法、溶胶－凝胶法、水解法、溶剂蒸发法等 气相法 气相反应法、蒸发凝聚法等 本章小结2 可塑成型 胶态成型 等静压成型 挤出成型 轧膜成型 注浆成型 注射成型 压力成型 模压成型 按陶瓷粉料在成型时的状态分类 流延成型 2、成型方法 本章小结3 3、干燥 4、烧结 5、加工处理及几何检测 作业： 请说出目前制备TiC粉体的方法有哪些？其中每种方法的优点和缺点分别是什么？ 锥角大小： 坯件直径d