低频功率放大电路.ppt

9.6.1 功率场效应管(VMOS)简介 第9章 低频功率放大电路 9.5 集成功率放大器4100系列简介 外部元件的作用如下： RF、CF ——与内部电阻组成交流负反馈支路。 CB ——相位补偿。 CC ——输出端电容，两端充电电压等于 。 CD ——反馈电容，消除自激振荡。 CH ——自举电容，使复合管的导通电流不随输出电压的升高而减小。 C3、C4 ——滤除波纹。 C2 ——电源退耦滤波，可消除低频自激。 第9章 低频功率放大电路 9.6 VMOS功率放大器 9.6.1 功率场效应管(VMOS)简介 第4章所介绍的普通MOS场效应管是平面沟道结构，这种结构场效应管的缺点是，导电沟的电阻较大，特性曲线的线性度差，频率特性差，硅片面积利用率低。这使它在许多领域中的应用受到限制。垂直导电MOS功率器件(简称VMOS管)不仅保留了普通MOS管的优点而且实现了短沟道，并设置了高电阻率的漏极漂移区，从而大大提高了器件的耐压能力、电流处理能力和工作频率。目前VMOS管的耐压水平已经提高到1000V，电流处理能力达到200A，工作频率为数百兆赫。 第9章 低频功率放大电路 VMOS功率场效应管不仅保留了普通MOS管的全部优点，