第9讲场效应管.pptVIP

栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 漏-源电压对漏极电流的影响 MOS场效应管 增强型MOS管uDS对iD的影响 耗尽型MOS管 MOS管的特性 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 (1)静态工作点的设置方法 1. 基本共源放大电路 2. 自给偏压电路 3. 分压式偏置电路 基本共源放大电路的动态分析 基本共漏放大电路的动态分析 基本共漏放大电路输出电阻的分析 若Rs=3kΩ，gm=2mS，则Ro=? 3. 三种基本放大电路的性能比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG BJT FET 电压增益： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 输出电阻： 3. 三种基本放大电路的性能比较 BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： * * 重点难点 重点：共源（CS）、共栅（CG）、共漏（CD）三 种组态放大器的分析方法及性能比较。 难点：结型和绝缘栅型场效应管的结构和工作原理 1 结型场效应管 2 场效应管放大电路 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类： 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就