微机原理试卷A.docVIP

中国计量学院200 7~~~200 8 学年第 一 学期《 微机原理及其应用 》课程试卷（A）第 PAGE 4 页 共 5 页 中国计量学院200 7 ~ 200 8 学年第 一 学期 《 微机原理及其应用 》课程考试试卷（ A ） 开课二级学院： 质量与安全工程学院 ，考试时间： 2008 年_1_月_7_日 18 时 考试形式：闭卷√、开卷□，允许带 计算器 入场 装订线考生姓名： 学号： 专业： 产品质量工程 班级： 05 装 订 线 题序 一 二 三 四 五 六 七 八 九 总分 得分 评卷人 单选题（每题2分，共20分） 十进制数115其对应的十六进制可表示为（）A、8FH B、73H C、8、8EH D、7EH 8031复位后，PC与SP的值为（） A、0000H，00H B、0000H，07H C、0003H，07H D、0800H，00H 提高单片机的晶振频率，则机器周期（） A、不变 B、变长 C、变短 D、不定 8051的内部RAM中，可以进行位寻址的地址空间为（） A、00H~2FH B、20H~2FH C?、00H~1FH D、20H~FFH 8051单片机共有（）个中断源?? A、4 B、5 C、6 下列指令中不影响标志位CY的指令有（）A、ADD A，20H B、CLR C、RRC A D、INC A 指令和程序是以（）形式存放在程序存储器中A、源程序 B、汇编程序 C、二进制编码 D、BCD码 8031的P0□，当使用外部存储器时它是一个（ ）A、高8位地址□ B、低8位地址□ C、低8位数据□ D、低8位地址/数据总线□9. 执行MOVC A,@A+PC时，WR、RD脚的电平为() A、WR高电平，RD高电平 B、WR低电平，RD高电平C、WR高电平，RD低电平 D、WR低电平，RD低电平 当标志寄存器PSW的RS1和RS0分别为1和0时，则当前工作寄存器组R0～R7的地址为（ ） A. 20H～2FH B.10H～17H C.00H～07H D. 30H～3FH 填空题（每空1分，共22分） MCS-51单片机的三总线结构是指 、 、 。 在ALE的高电平期间，P0口上一般出现  信息，在ALE低电平期间，P0口上一般出现和信息。 P1口用作输入口时，对应的口锁存器必须先。 对系统堆栈区的操作，必须遵循 的原则。 8032单片机访问高128字节RAM采用 寻址方式，访问特殊功能寄存器采用寻址方式。 一个基准电压为5V的8位AD，其最小能够分辨的输入电压为。 一个RAM芯片的地址线为A0～A13，则其存储容量为 ，其最后一个存储单元的基本地址为 。 已知系统晶振为12MHz,T0在方式1下工作，如要产生50ms定时中断，则T0的计数初值应设为 。 已知（SP）=60H，（DPTR）=3456H，在执行下列指令后， PUSH DPH PUSH DPL （SP）=_ __，内部RAM（61H）=__ __。 如执行下面程序后，则（DPTR）= ,（SP）= , 片内（52H）＝ 。 MOV SP,#50H MOV DPTR,#6000H MOVX A,@DPTR PUSH DPL PUSH DPH MOV DPTR,#7FFFH MOVX @DPTR,A 已知(A)=128, （R2）＝ 130, 则执行ADD A,R2后，A= ，CY= , OV= 。 程序题（每题6分，共18分） 1．下面程序实现将片内30H~37H单元的数据通过查表送外部数码管显示，分析程序是否正确，如有错误请找出并修改正确。 MOV R1,#30H MOV R7,#08H MOV DPTR,#LEDTAB DISPLAY: MOV A,@R1 MOVX @DPTR,A INC DPTR INC A DJNZ R7,DISPLAY SJMP $ LED