第二章-静态电磁场静电场610.pptVIP

两线间的等效电容： 等效电容：是指在多导体静电独立系统中，把两导体作为电容器的两个极板，设在这两个电极间加上电压，极板上所带电荷与电压的比值。可由电路求输入端等值电容方法来计算。 两线输电线及其电容网络 3．静电屏蔽 静电屏蔽在程中有重要的用途，仅举一例来阐述其原理。设带电的电气设备以导体1表示，带电荷为q1，且被置于接地导体薄壳2中，它们与邻近的导体3一起组成三导体系统，如图所示。显然，? 2 =? 0 =0，有 ?2=?0= 0 q1,?1 1 2 q3,?3 图 静电屏蔽示意图 3 上式在任何情况下均应成立。 设q1= 0，即导体1不带电，此时导体2内部为等电位区， 得? 1 = 0。这样，第一式即为 0 = - C13? 3 因? 3可以不等于零，由此可推得C13 = 0。这表明因接地导体2包围导体1后，导体1与导体3被互相隔离，而不存在两导体之间静电耦合作用。如果导体1、3均带电，则应有 q1= (C10 + C12) ? 1 q3= (C32 + C30) ? 3 此式表明，因接地导体2的静电屏蔽，其内外形成两个相互独立的静电系统。 2.9 电场能量 1．带电体系统中的电场能量 设在建立带电系统电场的某一瞬时，场中某一点的电位是??(r)，引入增量电荷?q需作功 ?W =??(r)?q 将转化为电场能量存贮在电场之中。由于静电场的能量仅取决于电荷的最终分布状态，与电荷怎样达到该状态的过程无关。因此，可设想这样一种充电方式，使任何瞬间所有带电体的电荷密度都按同一比例增长。充电开始时各处电荷密度都为零(相当于m = 0)，充电结束时各处电荷密度都等于其最终值(相当于m=1)。由此可知，在充电过程中的任何时刻，电荷密度的增量 ?? =? [m?(r)]= ?(r)?m ?? =? [m? (r)]= ? (r)?m 对m积分，得总电场能量为 由于所有电荷按同一比例m增长，故电位??(m，r)= m?(r)。上式得 如果系统中无空间电荷，只有带电导体的情况，其电场能量为 式中的积分面积S应为全部导体表面。由于每一导体表面都是等位面，而对于第k个导体，可有 (k = 1，n) 从而，得 2．电场能量密度 S1 S2 S? 图 电场能量 en en? q2 en en? q1 V 不失讨论的一般性，现以两个带电导体在无界空间建立的静电场为例。设两导体携带的电量分别为q1和q2，其表面积对应为s1和s2，如图所示。该系统的总电场能量为 由于导体表面的电荷面密度为 ? = D ?en? = - D ? en 式中en? 为导体表面的外法线方向的单位矢量；en为导体表面的内法线方向上的单位矢量。代入前式，得 在无限远处如图示作一个无限大的球面S?，则由于电荷分布在有限区域，无限远处的场强按R-2及电位按R-1趋于零。因此，该系统总的电场能量为 应用高斯定理，上式改写为 考虑到场域中没有自由电荷分布，故??D = 0，又由E = -??，代入上式，最终得 由此可见，电场能量密度为 we?= (D ?E)/2 对于各向同性的线性介质，D =? E，代入上式，得 we?= ? E2/2 例1：试计算半径为a，带电量为q的孤立导体球所具有的电场能量。 [解]：采用如下三种方法进行计算。 （1）孤立导体球的电位为? = q/4??a，于是得 （2）应用电场能量密度公式，积分得 （3）由电容计算公式，电场能量 而该系统电容为C=4? ? a，代入上式得 可见上述三种方法所得结果相同。 例：试求真空中半径为a，体电荷密度为 的电荷产生的静电能量。 解：应用高斯定律，求得： 解法一： 第 二 章 静 电 场 2n-1 2.6.1 对无限大接地导电平面的镜像 点电荷情况：设有一点电荷q位于距无限大接地导电平面上方h处，其周围介质的介电常数为?，如图所示。显然，电位函数在场域内满足如下边值问题 ?2? = 0 (除去点电荷所在点) 边界条件为 ? |z=0 = 0 (a) 无限大接地导电平面上的点电荷 (b) 点电荷的镜象 图 点电荷对无限大接地导电平面的镜象 可以设想，在场域边界外引入一个与点电荷q呈镜像对称的点电荷q?= -q，并将原来的导体场域由介电常数为 ? 的介质所替换。这样，原场域边界面(z = 0)上的边界条件? = 0保持不变，而对应的边值问题被简化为同一均匀介质?空间内两个点电荷的电场计算