半导体工艺图形曝光与光刻PPT.pptVIP

图形曝光与刻蚀 光学图形曝光－洁净室 光刻机 掩模版 抗蚀剂 图案转移 分辨率增加技术 新一代图形曝光技术 电子束图形曝光 SCALPEL 电子束抗蚀剂 邻近效应 极远紫外光图形曝光（EUV） X射线图形曝光（XRL） 离子束图形曝光 不同图形曝光方法的比较 湿法化学腐蚀（WCE） 硅的腐蚀 二氧化硅的腐蚀 氮化硅与多晶硅的腐蚀 铝腐蚀 砷化镓的腐蚀 干法刻蚀 干法刻蚀 基本等离子体理论 刻蚀机制、等离子体探测与终点的控制 等离子体探测 终点控制 反应等离子体刻蚀技术与设备 反应离子刻蚀（RIE） 电子回旋共振（ECR）等离子体刻蚀机 其他高密度等离子体刻蚀机 集成等离子体工艺 反应等离子体刻蚀的应用 硅沟槽刻蚀 多晶硅与多晶硅化物栅极刻蚀 介质刻蚀 金属导线刻蚀－Al Cu W 大多数的等离子体抗蚀机，除了三极RIE外，都无法提供独立控制等离子体参数的能力。导致轰击损伤的严重问题。ECR结合微波电源与静电场来驱使电子沿磁场线作一定角频率的回旋。当此频率等于外加微波频率时，电子能量与外加磁场产生共振耦合，造成大量的分解与电离。 由于ULSI的线宽持续缩小，逼近传统的RIE系统极限，除了ECR系统外，其他形式的高密度等离子体源（HDP），如电感耦合等离子体源（ICP）、变压器耦合等离子体源（TCP）、表面波耦合等离子体源（SWP）也已开始发展。这些设备拥有高等离子体密度与低工艺压强。