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§2.2 Field Effect Transistors 场效应管是依靠电场效应控制半导体中多 数载流子的半导体器件。 2.2.1. JFET JFET Characteristics 输出特性划分为三个区域 2.2.2. IGFET (MOSFET) 3. MOSFET  Current-Voltage  Characteristics n-Channel Depletion-Mode Ⅰ Ⅲ 增强型 死区不开启；自偏不可行Ⅱ Ⅳ 耗尽型 结型不过零；过零绝缘栅 2.2.3 Main Parameters 2.2.4 Characteristics and Notices 作业： P32 2.8 2.9 2.11 补充习题：网上自测20题 * * BJT B E C rbe几百Ω至几K Ω D S G IGFET 104 MΩ 漏极 源极 栅极 衬底 栅极 漏极 G D S 10 MΩ JFET 源极 D S N型 硅棒 外电场uDS 内电阻 耗尽层上厚下薄导 电沟道成楔形 G D S N沟道 JFET 本体材料为P型半导体，则构成P 电沟道JFET。 D G S uGS P型 P型 G + - uDS + - iD N沟道 uGS 耗尽层 R iD -2V -1V -3V -4V 输出特性 uDS(V) iD UGS = 0V 0 5 10 15 20 25 D G S uGS (-) 5 4 3 2 1 IDSS 转移特性 在P沟道JFET中，空穴参与导电，uDS接负电压，uGS接正电压。 UGS(off) 截止区 可变电阻区 截止区 UGS=0V uDS(V) -2V -1V -3V -4V iD 0 5 10 15 20 25 可变电阻区 饱和区（恒流区，放大区） D G S 0V 2V 12V Example D G S 0V 1V 3V 放大区 可变电阻区 放 大 区 S G D + P型硅衬底 + + + + UGS=0，无导电沟道，ID=0。栅极加正电压会形成N型沟道(反型层)。 UGS=0，存在导电沟道，漏极电流ID≠0。栅极加上某负电压消失导电沟道。 S G D P型硅衬底 SiO2 绝缘层 + N沟道增强型 D S G 衬底 N沟道耗尽型 D S G 衬底 1. Construction 2、工作原理 Operation （开启电压) 反型层(Inversion layer) VGS控制沟道宽窄 (1)、开启(turn on)沟道 0V + 宽 窄 VGS=VT 增强型MOS管 (2)．沟道变形 预夹断 楔形沟道 0 + 电位梯度 VDS控制 沟道形状 1、转移特性曲线 Transfer Characteristics ID=f(VGS)?VDS=const 2、输出特性曲线 Drain Characteristics ID=f(VDS)?VGS=const VCCS！ 另：N沟道耗尽型MOSFET (a) 结构和符号 (b) 转移特性曲线 P沟道 N沟道 PNP NPN 16 12 8 4 0 3 6 9 12 u DS /V － 2V U GS =0V 放 大 区 i D /mA (b) 漏极特性曲线 － 4 － 2 0 2 4 u GS /V i D /mA U GS(off) 16 12 8 4 I DSS (a) 转移特性曲线 可变电阻区 2V U DS = 常数 IDSS 0 UGS(th) uGS iD UT UGST UGS(off) D G S G D S ⅠⅡ N型 Ⅲ Ⅳ P型 D S G D S G D S G D S G IDSS 栅源夹断电压UGS(off) 或开启电压UT UDS =10V，ID = 50uA时的UGS 漏极饱和电流IDSS UDS =10V， UGS = 0时的ID 击穿电压UDS(BR)、UGS(BR) 最大耗散功率PDM 跨导 直流输入电阻RGS Small-signal Equivalent Circui g + - Ugs s s d