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平带条件下SOI nLIGBT 漂移区表面小注入间接复合 寿命模拟1 张海鹏，华柏兴，宋强，徐丽燕，林弥，吕伟锋，牛小燕，吕幼华 杭州电子科技大学电子信息学院，浙江杭州（310018 ） E-mail：islotus@163.com 摘 要：首先简介了所提出的一种基于硅-二氧化硅界面态能级连续分布多项式插值近似的 平带条件下SOI nLIGBT 漂移区表面小注入间接复合寿命模型。接着通过对该模型的分步具 体化探讨了该模型的矩阵模拟算法。然后利用循环嵌套矩阵模拟算法对该模型进行编程模 拟。最后对模拟结果进行讨论分析。 关键词：小注入；SOI nLIGBT；漂移区表面；间接复合寿命；模拟；界面态分布 1. 引 言 在文献[1]中，我们首先提出了一种基于硅-二氧化硅界面态能级连续分布多项式插值近 似的平带条件下SOI nLIGBT 漂移区表面小注入间接复合寿命模型。本文中我们在将该模型 具体化的过程中探讨该模型的模拟算法，然后利用计算机编程模拟进行算法验证并给出模拟