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Harbin Institute of Technology 模拟CMOS集成电路大作业 设计题目： 二级运放设计 院 系： 班 级： 设 计 者： 学 号： 设计时间： 2011.6.20 哈尔滨工业大学 2012年 设计题： 假定μnCox=110 μA/V2， μpCox=50 μA/V2 ，λn＝0.04V-1， λp＝0.04V-1（有效沟道长度为1μm时），λn＝0.02V-1， λp＝0.02V-1（有效沟道长度为2μm时），λn＝0.01V-1， λp＝0.01V-1（有效沟道长度为4μm时），γ=0.2，VTHN＝| VTHP | =0.7V。设计如下图的放大器，满足如下要求，其中负载电容CL = 10pF。 Av 4000V/V， VDD = 5V， GB = 5MHz ，SR 10V/μs ，60° 相位裕度， Vout 摆幅 =0.5~4.5V, ICMR 1.5~4.5V， Pdiss≤?2mW 1.请说明详细的设计过程，包括公式表达式（假定Cox = 0.35fF/μm2，栅源电容按计算）； 2.给出进行交流仿真和瞬态仿真的spice仿真的网表，并给出仿真波形和结果。 3.如果要求Av至少提高为原来的2倍，其它要求不变，如何修改电路（注意讨论对其它性能参数的影响）？ 注意事项： 计算得到的极点频率为角频率。 尺寸最后应选取整数，工艺精度的限制。 尾电流增加，Av增加还是减小？ 根据相位裕度PM=60deg的要求，求Cc（假定ωz10GB）; 考虑零点的影响，CC的选取：PM=60°时，GB处 令ωz =10GB时 若PM60 °, ωp22.2GB ，并由ωz=10GB 由此可得： 负载电容CL=10pF,所以Cc2.2pF,取Cc=3pF 由已知的Cc并根据转换速率的要求（或功耗要求）选择ISS（I5）的范围； 3.由计算得到的电流偏置值(I5 /2),设计W3/L3（ W4/L4 ）满足上ICMR（或输出摆幅）要求，即饱和区条件； 极限情况下，即ICMR达最大4.5V时，M3，M4管的过驱动电压为： 由此可得，M3，M4管的漏电流： 代入μpCox=50 μA/V2，VDD = 5V，ICMR+=4.5V，I5=40μA，VTHN＝| VTHP | =0.7V可得： 验证M3处镜像极点是否大于10GB 代入验证成立 设计W1/L1（ W2/L2 ）满足GB的要求 由此解得： 设计W5/L5满足下ICMR（或输出摆幅）要求； 当ICMR取最小值1.5V时，M5管的过驱动电压为： 根据ωp22.2GB 计算得到gm6；并且根据偏置条件VSG4=VSG6计算得到M6的尺寸 根据尺寸和gm6计算I6，并验证Vout,max是否满足要求 计算M7的尺寸。并验证Vout,min是否满足要求 验证增益和功耗 满足题设要求。 11.SPICE仿真验证 (1)交流仿真 Spice网表： AN TWO-STAGE OP AMPS M1 2 5 6 0 MOSN w=6u l=2.0u M2 3 4 6 0 MOSN w=6u l=2.0u M3 2 2 1 1 MOSP w=8u l=2.0u M4 3 2 1 1 MOSP w=8u l=2.0u M5 6 7 0 0 MOSN w=8u l=2.0u M6 8 3 1 1 MOSP w=76u l=2.0u M7 8 7 0 0 MOSN w=38u l=2.0u Cc 3 8 3p Cl 8 0 10p VDD 1 0 DC 5V Vb 7 0 DC 1.15V V1 4 0 DC 1.5V AC 0.0001V V2 5 0 DC 1.5V AC 0.0001V 180 .OP .ac DEC 20 1 100Meg .plot ac v((8)/0.0002V) .plot ac vp(8) .PROBE *model .MODEL MOSN NMOS VTO=0.7 KP=110U +LAMBDA=0.02 GAMMA=0.2 PHI=0.7 .MODEL MOSP PMOS VTO=-0.7 KP=50U +LAMBDA=0.02 GAMMA=0.2 PHI=0.8 .end 幅频特性曲线