[清华大学工物系课件]电离辐射探测_工程硕士课程[6]_半导体探测器.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * */89 2. 工作条件 为了降低探测器本身的噪声和FET的噪声，同时为降低探测器的表面漏电流，锂漂移探测器和场效应管FET都置于真空低温的容器内，工作于液氮温度(77K)。 对Ge(Li)探测器 由于锂在锗中的迁移率较高，须保持在低温下，以防止Li+Ga-离子对 离解，使Li+沉积而破坏原来的补偿； 对Si(Li)探测器 由于锂在硅中的迁移率较低，在常温下保存而无永久性的损伤。 */89 §6.1 半导体基本性质 §6.2 均匀型半导体探测器 §6.3 P-N结型半导体探测器 §6.4 P-I-N型半导体探测器 §6.5 高纯锗HPGe半导体探测器 §6.6 锂漂移和HPGe半导体探测器的性能与应用 §6.7 其它半导体探测器 ? */89 §6.5 高纯锗HPGe半导体探测器 why HPGe detector？ HPGe的工作原理 */89 一. why HPGe detector？ 锂漂移探测器需要低温保存与使用 生产周期(锂漂移时间)长：30～60天 1980年之后，Ge(Li)已经停止生产，并被HPGe所取代 HPGe技术产生于70年代中期 Ge的纯度可以达到PPT（10-12） Si的纯度难以做到这个纯度 */89 二．工作原理 耗尽层的宽度： 纯化，N~1010原子/cm3， 一般半导体的纯度为1015/cm3 利用HPGe，可使W10mm，形成高纯锗(HPGe)探测器 大体积灵敏区：增加工作电压V，降低杂质密度N。 高纯锗探测器： P-N结型探测器，常温保存，低温使用。 */89 P-N结的构成 采用高纯度的 P型Ge单晶 一端表面通过蒸发扩散或加速器离子注入施主杂质(如磷或锂)形成 N区 和 N+，并形成P-N结。 另一端蒸金属形成 P+，并作为入射窗。两端引出电极。 因为杂质浓度极低，相应的电阻率很高。空间电荷密度很小，P区的耗尽层厚度大。 */89 空间电荷分布、电场分布及电位分布 电荷分布 电位 电场 */89 高纯锗探测器的特点 1) P区存在空间电荷，HPGe半导体探测器是PN结型探测器。 2) P区为非均匀电场。 3) P区为灵敏体积，其厚度与外加电压有关，一般工作于全耗尽状态。 4) HPGe半导体探测器可在常温下保存，低温下工作。 */89 §6.1 半导体基本性质 §6.2 均匀型半导体探测器 §6.3 P-N结型半导体探测器 §6.4 P-I-N型半导体探测器 §6.5 高纯锗HPGe半导体探测器 §6.6 锂漂移和HPGe半导体探测器的性能与应用 §6.7 其它半导体探测器 ? */89 §6.6 高纯锗和锂漂移探测器的性能与应用 1. 结构 对两种不同的结构形式，由于空间电荷的作用，灵敏体积内的电场分布是不同的。 单端同轴 双端同轴型表面漏电流较大，增加噪声。 同轴型：体积较大，灵敏区体积可达~ 750cm3，用于?射线的探测。 平面型：体积较小(10～30cm3)，厚度一般小于2.0cm，常用于低能?或X射线的探测。 双端同轴 单端同轴型电场径向一致性较差(角落处) 通过磨圆、加长内芯电极可加以改善。 */89 */89 2. 输出信号 载流子：电子和空穴。 漂移速度很快，电子数倍于空穴，载流子收集时间短，可获得快上升时间的电压脉冲。 但上升时间与入射粒子的位置有关，是变前沿的输出电压脉冲。 但总电荷量与位置无关，采用电荷灵敏前放可获得同样输出电压。 平面型探测器 同轴型探测器 可与电离室的输出信号进行类比 */89 3. 能量分辨率 其中： 为载流子数的涨落。 探测器及电子仪器噪声； 为载流子由于陷阱效应带来的涨落，通过适当提高偏置电压减小。 Si(Li)和Ge(Li)平面型探测器多用于低能?(X)射线的探测，其能量分辨率常以55Fe的衰变产物55Mn的KX能量5.95KeV为标准，一般指标约： HPGe，Ge(Li)同轴型探测器用于?射线探测，常以60Co能量为1.332MeV的?射线为标准，一般指标约： */89 4. 对γ的探测效率 光电、康普顿、电子对（1.022MeV）是探测γ的基本相互作用 高分辨率→用作能谱分析（而非计数器）→关心全能峰→（光电效应＋多次康普顿散射）起作用 */89 5. 峰康比 峰顶计数与康普顿坪平均计数之比：20~90。 增大探测器灵敏体积 改善几何形状：长度＝直径 通过康普顿反符合技术可进一步提高峰康比一个量级 分析复杂γ能谱时，希望有高的峰康比 想一想：如何提高峰康比？ */89 6. 能量线性 非常好 对不同种类的射线，如α，γ，平均电离能差别很小 对同种类但能量不同的射线，差别也很小，如γ射线 150～300keV (0.03%) 300～130