第4章-主存储器课件.pptVIP

4.6 非易失性半导体存储器 易失性存储器(DRAM和SRAM):当掉电时，所存储的内容立即消失。 非易失性半导体存储器:即使停电，所存储的内容也不会丢失。 根据半导体制造工艺的不同，可分为ROM，PROM，EPROM，E2PROM和Flash Memory。 1．只读存储器(ROM) 掩模式ROM由芯片制造商在制造时写入内容，以后只能读而不能再写入。其基本存储原理是以元件的“有／无”来表示该存储单元的信息(“1”或“0”)，可以用二极管或晶体管作为元件，显而易见，其存储内容是不会改变的。 2．可编程序的只读存储器(PROM) PROM可由用户根据自己的需要来确定ROM中的内容，常见的熔丝式PROM是以熔丝的接通和断开来表示所存的信息为“1”或“0”。刚出厂的产品，其熔丝是全部接通的，使用前，用户根据需要断开某些单元的熔丝(写入)。显而易见，断开后的熔丝是不能再接通了，因此，它是一次性写入的存储器。掉电后不会影响其所存储的内容。 3．可擦可编程序的只读存储器(EPROM) EPROM的基本存储单元由一个管子组成，但管子内多增加了一个浮置栅。 编程序(写入)时，在控制栅的高压吸引下，自由电子越过氧化层进入浮置栅；当浮置栅极获得足够多的自由电子后，漏源极间便形成导电沟道(接通状态)，信息存储在周围都被氧化层绝缘的浮置栅上，即使掉电，信息仍保存。 改写时，先将其全部内容擦除，然后再编程。 擦除是靠紫外线使浮置栅上电荷泄漏而实现的。 EPROM的编程次数不受限制。 4．可电擦可编程序只读存储器(E2PROM) E2PROM每个存储单元采用两个晶体管。其栅极氧化层比EPROM薄，因此具有电擦除功能。 E2PROM的编程序原理与EPROM相同，但擦除原理完全不同，重复改写的次数有限制(因氧化层被磨损) 。 其读写操作类似于SRAM，但每字节的写入周期要几毫秒，比SRAM长得多。 5．快擦除读写存储器(Flash Memory) Flash Memory是用单管来存储一位信息，用电来擦除,但是它只能擦除整个区或整个器件。在源极上加高压Vpp，控制栅接地，在电场作用下，浮置栅上的电子越过氧化层进入源极区而全部消失，实现整体擦除或分区擦除。 快擦除读写存储器于1983年推出，1988年商品化。它兼有ROM和RAM俩者的性能，又有ROM，DRAM一样的高密度。目前价格已略低于DRAM，芯片容量已接近于DRAM，是唯一具有大存储量、非易失性、低价格、可在线改写和高速度(读)等特性的存储器。它是近年来发展很快很有前途的存储器。 4．7 DRAM的研制与发展（略） 1．增强型DRAM(EDRAM) 增强型DRAM(EDRAM)改进了CMOS制造工艺，使晶体管开关加速，其结果使EDRAM的存取时间和周期时间比普通DRAM减少一半，而且在EDRAM芯片中还集成了小容量SRAM cache. 例如，在4Mb(1MX4位)EDRAM芯片中，内含 4MbDRAM和2Kb(512X4位)SRAM cache。 2．cache DRAM(CDRAM) 其原理与EDRAM相似，其主要差别是SRAM cache的容量 较大，且与真正的cache原理相同 3.EDO DRAM (extended data out) 可提前预存取的DRAM（20~30ns）. 4．同步DRAM(SDRAM) 存储器在收到地址信息和控制信息后的信息存取 过程中，CPU可同步并行处理其他任务，而1~3的 DRAM此时只能停下来等待CPU的存取处理。 （10~15ns） 5.Rambus DRAM（RDAM） 与CPU之间采用专用总线传输数据，采用垂直封装 （2ns） 6.集成随机存储器（IRAM) 将整个DRAM系统集成在一个芯片内，包括存储单元阵列、刷新逻辑、裁决逻辑、地址分时、时序控制及测试电路等部分。 7.ASIC RAM 根据用于需求而设计的专用存储器芯片 4．8 半导体存储器的组成与控制 常用的半导体存储器芯片有多字一位片和多字多位(4位、8位)片，如16M位容量的芯片可以有16M ? l位和4M ? 4位等种类。 1．存储器容量扩展 (1)位扩展 概念:位扩展指的是用多个存储器器件对字长进行扩充。 方法:位扩展的连接方式是将多片存储器的地址、片选CS、读写控制端R／W相应并联，数据端分别引出。 存储信息原理 动态存储器DRAM（动态MOS型）：依靠电容存储电荷的原理存储信息。功耗较小,容量大,速度较快,作主存。 静态存储器SRAM（双极型、静态MOS型） 　　 依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息。 功耗较大,速度快,作Cach