纳米结构Si表面增强拉曼散射特性研究-发光学报.pdf

第３９卷　 第４期 发　 光　 学　 报 Ｖｏｌ３９ Ｎｏ４ ２０１８年４月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ａｐｒ. ꎬ２０１８ 文章编号:１０００￣７０３２(２０１８)０４￣０４８１￣０７ 纳米结构 Ｓｉ表面增强拉曼散射特性研究 １ꎬ２ꎬ３ １ꎬ２ꎬ３ １ꎬ３ １ꎬ２ꎬ３ １ꎬ２ꎬ３∗ 崔绍晖 ꎬ符庭钊 ꎬ王　 欢 ꎬ夏　 洋 ꎬ李超波 (１. 中国科学院微电子研究所ꎬ北京　 １０００２９ꎻ　 ２. 中国科学院大学ꎬ北京　 １０００４９ꎻ ３. 集成电路测试技术北京市重点实验室ꎬ北京　 １０００８８) 摘要:为了实现低成本高灵敏度的表面增强拉曼散射效应ꎬ制备了一种基于硅表面纳米结构的表面增强拉曼散射 效应(ＳＥＲＳ)衬底ꎮ 首先利用低能反应离子注入的方法对单晶硅进行表面处理ꎬ制作高陡值度的墙壁结构ꎮ 然后采 用电子束蒸发的方式在硅片表面蒸镀银膜ꎬ高密度的银纳米点阵列出现在侧壁表面ꎬ形成大量的热点ꎮ 实验采用罗 丹明６Ｇ(Ｒ６Ｇ)作为探针分子进行表征ꎬ发现获得最强拉曼信号的银膜厚度为４０ ｎｍꎬＲ６Ｇ 的探测极限能达到 －１４ －１ －１ １０ ｍｏｌ/ Ｌꎻ同时分析衬底的重复性和稳定性ꎬ发现在６１４ ｃｍ 和１６５０ ｃｍ 处的拉曼信号特征峰的相对标准偏差 分别达到１２.３％和１４.３％ꎬ保存一个月的衬底测得的拉曼信号强度保持不变ꎮ 本研究提供了一种操作简单、成本低 的制备高灵敏度增强拉曼效应衬底的方法ꎬ制备的衬底具有高信号可重复性和高稳定性的优点ꎮ 关　 键　 词:表面增强拉曼散射效应ꎻ反应离子注入ꎻ银纳米点ꎻ电子束蒸发ꎻ低成本 中图分类号:Ｏ６５７.３７ 　 　 　 文献标识码:Ａ　 　 　 ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ０４８１ Ｓｕｒｆａｃｅ￣ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｒａｍａｎ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｂａｓｅｄ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ １ꎬ２ꎬ３ １ꎬ２ꎬ３ １ꎬ３ １ꎬ２ꎬ３ １ꎬ２ꎬ３∗ ＣＵＩ Ｓｈａｏ￣ｈｕｉ ꎬＦＵ Ｔｉｎｇ￣ｚｈａｏ ꎬＷＡＮＧ Ｈｕａｎ ꎬＸＩＡ Ｙａｎｇ ꎬＬＩ Ｃｈａｏ￣ｂｏ (１. Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ｏｆ ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙ ｏｆ ＳｃｉｅｎｃｅｓꎬＢｅｉｊｉｎｇ １０００２９ꎬＣｈｉｎａꎻ ２. Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙ ｏｆ ＳｃｉｅｎｃｅｓꎬＢｅｉｊｉｎｇ １０００４９ꎬＣｈｉｎａꎻ ３. Ｂｅｉｊｉｎｇ Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ ＩＣ Ｔｅｓｔ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＢｅｉｊｉｎｇ １０００８８ꎬＣｈｉｎａ) ∗Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｌｉｃｈａｏｂｏ＠ｉｍｅ.ａｃ.ｃｎ Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｉｎ ｏｒｄｅｒ ｔｏ ａｃｈｉｅｖｅ ｈｉｇｈ￣ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ｓｕｒｆａｃｅ￣ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｒａｍａｎ ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ(ＳＥＲＳ) ａｔ ａ ｌｏｗ ｃｏｓｔꎬａ ｋｉｎｄ ｏｆ ＳＥＲＳｓｕｂｓｔｒａｔｅｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｏｆ ｓｉｌｉ