专用集成电路实验2---导线.docVIP

实验2 导线特性 1 实验目的 了解导线的RC特性和建模方法。 2 实验内容 设某层金属阻值为0.086欧姆/方。金属层导线长度为1300um，宽度为0.13um；其集总电容为0.1pf。设信号源为1.2V，内阻1K欧姆。利用Elmore延时公式计算、并使用下列模型仿真此导线的延时（50%至50%）以及上升和下降时间（10%至90%）。 一个电阻、一个电容的集总模型； 3型RC模型； T3型RC模型。 下面是当时编写的，自己都记不清了，问号是保存为记事本txt有问题。 (a) INVa .options list node post .model m1 pmos level=2 .model m2 nmos level=2 m1 out in vdd vdd?m1 L=0.250u?W=1.125u m2 out in 0? 0? m1 L=0.250u?W=0.375u cl out 0 1pf vdd vdd 0 dc 2.5 vin in 0 dc 2.5 .op .dc vin 0 2.5 0.5 .print dc v(in) v(out) .probe dc v(in) v(out) .END (b) INVb .options list node post .model m1 pmos level=2 .model m2 nmos level=2 m1 out in vdd vdd?m1 L=0.250u?W=2.750u m2 out in 0? 0? m1 L=0.250u?W=0.375u cl out 0 1pf vdd vdd 0 dc 2.5 vin in 0 dc 2.5 .op .dc vin 0 2.5 0.5 .print dc v(in) v(out) .probe dc v(in) v(out) .END (c) INVc .options list node post .model m1 pmos level=2 .model m2 nmos level=2 m1 out in vdd vdd?m1 L=0.250u?W=1.125u m2 out in 0? 0? m1 L=0.250u?W=0.375u cl out 0 1pf vdd vdd 0 dc 2.5 vin in 0 dc vd .data vd_table 1 1.5 2.5 .enddata .op .tran 100p 100n .print tran v(in) v(out) .probe tran v(in) v(out) .END (d) INVc .options list node post .model m1 pmos level=2 .model m2 nmos level=2 m1 out in vdd vdd?m1 L=0.250u?W=0.750u m2 out in 0? 0? m1 L=0.250u?W=0.375u cl out 0 1pf vdd vdd 0 dc 2.5 vin in 0 dc 2.5 .op .tran 100p 100n .print tran v(in) v(out) .probe tran v(in) v(out) .END