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晶体硅太阳能电池工艺讲解 wafer inspection 检查内容：wafer lifetime的???（电阻率，电阻系数=resistivity=ρ=RS/L，?? 1~3Ωcmspec??????), crack，chipping（碎屑） 二）硅片清洗制绒 清洗目的: 除去硅片表面上的油脂,金属离子和尘埃等。 制绒目的：除去硅片表面上的切割损伤层，获得粗糙的绒面来减少反射，并增加长波长光在硅片内的传输路径（陷光原理-light trapping），获得适合扩散和制造P-N结的硅表面。 多晶硅制绒工艺流程（酸制绒 – 水洗 – 碱洗 – 水洗，酸洗 – 烘干） 酸制绒（HNO3，HF）：硅表面形成一层薄绒面状 第一步：硅氧化 Si + 4HNO3 = SiO2 + 4NO2 + 2H2O (慢) Si + 4HNO3 = SiO2 + 2NO + 2H2O (慢) 2NO2 + H2O = HNO2 + HNO3 + H2O (快) NO + 4HNO3 + H2O = 6HNO2 (快) Si + 4HNO2 = SiO2 + 4NO + 2H2O (快) 第二部：SiO2溶解（腐蚀成绒面的H2SiF6） SiO2+4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2SiF6 即：SiO2 + 6HF = H2SiF6 + 2H2O 水洗 碱洗（KOH）：除去多孔硅，同时