非等温模型下多量子势垒结构对LED性能的影响ViewTableof.pdf

非非等等温温模模型型下下多多量量子子势势垒垒结结构构对对LED性性能能的的影影响响 王天虎, 徐进良 and 王晓东 Citation: 科学通报 57, 2231 (2012); doi: 10.1360/csb2012-57-23-2231 View online: htt :///doi/10.1360/csb2012-57-23-2231 View Table of Contents: htt :/// ublisher/sc /journal/CSB/57/23 Published by the 中国科学》杂志社 Articles you may be interested in 自加热效应下AlGaInN电子阻挡层对LED性能的影响 Chinese Science Bulletin 59, 1564 (2014); 水溶液势对丙氨酸电子结构影响的模拟 Chinese Science Bulletin 53, 758 (2008); AlGaN势垒层应变弛豫度对高Al含量Al Ga N/GaN HEMT性能的影响 x 1-x Science in China Series E-Technological Sciences (in Chinese) 36, 925 (2006); 协变谐振子势的介子结构模型 Chinese Science Bulletin 23, 154 (1978); 阳极氧化温度对Al-Ti复合氧化膜结构和电性能的影响 Science in China Series E-Technological Sciences (in Chinese) 36, 251 (2006); 2012 年 第 57 卷 第 23 期：2231 ~ 2236 《中国科学》杂志社 论 文 SCIENCE CHINA PRESS 非等温模型下多量子势垒结构对LED 性能的影响 ① ②* ②* 王天虎 , 徐进良 , 王晓东 ① 华北电力大学能源的安全与清洁利用北京市重点实验室, 北京 102206; ② 华北电力大学低品位能源多相流与传热北京市重点实验室, 北京 102206 * 联系人, E-mail: xjl@; wangxd99@ 2012-04-26 收稿, 2012-06-04 接受 国家自然科学基金-广东省联合基金重点项目(U1034004)、国家杰出青年科学基金、国家重点基础研究发展计划(2011CB710703) 和中央高校基本科研业务费专项资金(11ZG01)资助 摘要 引入了多量子势垒结构作为发光二极管的电子阻挡层来提高其性能. 在非等温多物理 关键词 场耦合模型下, 对芯片的内量子效率、发热特性、光谱特性、以及光电转换效率做了系统分析. 发光二极管 结果表明: 发光二极管的内量子效率及光电转换效率得到显著改善, 光谱强度明显升高, 且多 内量子效率 量子势垒结构的引入保证了芯片的热稳定性和发光稳定性. 原因主要是由于多量子势垒结构 多量子阱 光谱强度 的引入改善了电子阻挡层的能带结构, 减少了漏电流, 显著增强了活性区中载流子浓度. 漏电流 由于发光二极管(LED)的长寿命、体积小、低能 GaInP/ AlInP 红光激光二极管的实验研究中证明. 此 耗等诸多优点, 已经被广泛应用在许多商业领域. 包 后, 为克服p-Alx Ga1xN EBL 的缺点, 一些MQB EB