模电课件第五章.pptVIP

2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? ID基本不变 ? 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ③ vGS和vDS同时作用时 当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断， 对于同样的vDS ， ID的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 2. 转移特性 1. 输出特性 5.3.3 FET放大电路的小信号模型分析法 1. FET小信号模型 （1）低频模型 （2）高频模型 2. 动态指标分析 （1）低频小信号模型 2. 动态指标分析 （2）低频电压增益 （3）输入电阻 （4）输出电阻 忽略 rds， 由输入输出回路得 则 小结： FET使用中应记住：栅压控制、基本无栅流，以及各种类型的VGS和VDS的极性和电压范围。 VDS的极性取决于导通沟道的类型：N沟道——VDS ? 0；P沟道——VDS ? 0。 VGS的极性取决于工作方式和导电沟导类型： MOS管：增强型：N沟道——VGS?VT；P沟道VGS ? VT 耗尽型——VGS ? 0或VGS ?0； J型：N沟道——VGS ? 0；P沟道——VGS ?0 增强型的MOS管VGS与VDS同极性；耗尽型的MOS管的VGS与VDS有同极性和反极性两种。 例1：已知某场效应管的输出特性如图所示。由图中给出的数据来判断 1）它是哪种类型的场效应管？ 2）其夹断电压VP或开启电压VT是多少？ 3）若是耗尽型的话，它的IDSS是多少？ 解：1） ∵由于VGS可正可负， ∴是耗尽型的MOSFET 又∵ VGS从负往正变化时， iD相应地由大变小， ∴是P沟道 2）VP=1.5V 3）对应于VGS=0的iD，即IDSS ? –12mA – * 1. 从物理意义上解释低通电路 2. 稳态分析方法 3. 增益与传递函数 4. 复数的模与相角 第五章 场效应管放大电路 第5章 场效应管放大电路 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流的半导体器件。 特点：输入阻抗高、热稳定性好、噪声小、抗辐射、制造工艺简单 等优点。MOSFET大规模和超大规模集成电路中占有很重要的地位。 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管的分类： 5.1.1 N沟道增强型（绝缘栅）MOSFET 1、结构 5.1 金属—氧化物—半导体场效应管（MOSFET） L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W L 符号解释： 虚线表示，只有在加上柵极电压后，才有导电沟道（增强型）； 箭头方向表示从P指向N，由此可判断沟道类型。 g,d,s分别对应于三极管的b极，c极，e极。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET（绝缘栅） 1、结构 5.1 金属—氧化物—半导体场效应管（MOSFET） 剖面图 符号 绝缘栅型 2、工作原理 1）VGS对工作的影响（设VDS=0） ①当VGS=0时，若加上VDS ?0，∵两个PN结有一个反偏，R很大， ∴ iD=0 ②当VGS ≠ 0（ ? 0），绝缘层 ? 平板电容? 强电场? 排斥空穴（吸引电子），留下负离子。当VGS ? VT时，未形成导电沟道，这时VDS ? 0， iD=0 VT 称为开启电压 2、工作原理 1）VGS对工作的影响（设VDS=0） ②当VGS ≠ 0（ ? 0），绝缘层 ? 平板电容? 强电场? 排斥空穴（吸引电子），留下负离子。当VGS ? VT时，未形成导电沟道，这时VDS ? 0， iD=0 ③当VGS ?VT，