_S波段高效GaN逆E类功率放大器.pdfVIP

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2019-06-06 发布于四川
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27 4 微波学报 Vol． 27 No． 4 第卷第期 2011 8 JOURNAL OF MICROWAVES Aug． 2011 年月文章编号:1005-6122 (2011)04-0049-04 * S GaN E 波段高效逆类功率放大器 1 2 1 1 曹韬刘友江曾荣吕立明 (1．， 621900 ;2 ．， 100084) 中国工程物理研究院电子工程研究所绵阳清华大学工程物理系北京 : E ， GaN 2 ． 3GHz E 摘要介绍一种高效逆类功率放大器的设计方法并选用器件设计了工作于的逆类功率。 26V ， 26dBm ， 40 ． 2dBm ， 76． 1% ，PAE 73． 3% 。放大器当供电输入功率时放大器输出功率工作效率为提供了详尽。 E 的仿真与实测数据并对放大器性能进行分析用数字预失真技术对逆类功率放大器进行线性化校正并取得了良好的效果。 : E ，，GaN ，关键词类功率放大器高效率数字预失真 S-Band High Efficiency GaN Inverse-Class E Power Amplifier CAO Tao1 ，LIU You-jiang2 ，ZENG Rong1 ，LV Li-ming1 (1． Institute of Electronic Engineering ，China Academy of Engineering Physics ，Mianyang 621900 ，China ; 2． Dep artment of Engineering Physics ，Tsinghua University ，Beij ing 100084 ，China) Abstract : A design methodology of high efficiency inverse-class E power amplifier is presented in this paper． An out- put power 40 ． 2dBm at 2 ． 3GHz with drain efficiency of 76． 1% and power-added efficiency of 73． 3% in supply of 26V is ob- tained． Simulations and experimental results are offered and the performance of the proposed amplifier has been analyzed in detail． Furthermore ，digital predistortion is used to increase