_2.4GHz E类射频功率放大器的设计.pdfVIP

电子技术 • Electronic Technology 1,2 1 文/朱启文 李伟 当于一个开关，当开关闭合时，有电流通过； 射频功率放大器是无线发射 由于此时的导通电阻极小，晶体管的电压很小， 摘 机的核心部分，本文在传统经典 并且趋向于零。当晶体管断开时，晶体管电压 要 射频功率放大器理论研究的基础 上，采用将经典 E 类功率放大器 虽然有点高，但无电流通过晶体管，从而达到 的射频扼流圈看做一般电感，采 减小耗散功率的目的。E 类功率放大器就是按 用新的设计方法，设计出了一款 照电压与电流不重叠出现而设计出来的，使得 工作于 2.4GHz 频段的射频功率 放大器。基于理想的设计方程， 在任意时刻，电压与电流的乘积为零，即耗散 采用级联反向器驱动级，在 TSMC 功率为零。图 1 为 E 类功率放大器的拓扑结构 0.18μm 工艺环境下，设计出的伪 图。该拓扑机构由Grebennikov 在2002 年提出， 差分放大器的饱和输出功率可达 29dBm，PAE为63%。 经过 10 余年的发展，该放大器以其效率高， 图1：E类功率放大器的电路结构图 可设计性强等优点而被广泛应用。 在该 E 类拓扑结构图中，电感 L1 为电路 【关键词】E 类功放 2.4GHz 伪差分 饱和输 提供直流偏置，电容 C1 为外加电容和晶体管 寄生电容之和，电感 L2 和电容 C2 构成滤波 出功率 谐振网络，该谐振网络谐振频率为 2.4GHz 。 RL 为从晶体管获得最大功率的最佳匹配负载。 E 类射频功率放大器由单个晶体管和负载匹配 1 引言 网络组成，在激励信号的作用下，晶体管工作 随 着 无 线 通 信 系 统 的 发 展， 比 如 在开关状态，当晶体管闭合时，晶体管漏端的 WCDMA 、TD-SACDMA 、CDMA2000 等， 电压由晶体管本身决定，即由其自身的导通电 大大加速了射频功率放大器的研究和设计。射 阻决定，当晶体管断开时，晶体管漏端的电压 图 2：E 类功率放大器开关管两端的电压、电 流波形图 频功率放大器是无线通信系统发射机的核心组 波形由其后端的负载网络的瞬态响应所决定。 成部分，功率放大器的性能指标直接影响整个 图2 为理想 E 类功率放大器两端电压、电流的 通信系统的好坏，因此设计性能良好的功率放 波形图。 大器是当前无线通信系统亟待解决的问题。 为了使该功率放大器的效率达到 100%， 射频功率放大器用来输出大功率给外部 该功率放大器的瞬态响应网络应该满足以下三 负载。功率放大器通常是无线发射机中功耗最 个条件： 大的模块，为了降低功耗，延长电池寿命，要 （1）晶体管导通时，晶体管两端的电压 求它具有较高的效率。射频功率放大器可分为 必须为零，即晶体管的瞬态响应网络应在晶体 传统功率放大器和开关模式功率放大器，传统 管导通之前，完成电荷的释放； 功率放大器拥有良好的线性度，开关模式功率 （2 ）当晶体管截止时，晶体管两端的电 图3：反相器驱动级电路图 放大器则具有很高的效率。E 类功率放大器是 压