晶体三极管及其放大电路基础.DOC

第二章 晶体三极管及其放大电路基础 简述三极管制作的结构特点？ 答：基区：很薄且杂质浓度很低；发射区：杂质浓度很高；集电区：面积很大，但杂质浓度远远小于发射区的杂质浓度 简述三极管的放大原理。 答： 1、三极管有三个级：发射极E、集电极C、基极B 有三个区：发射区、集电区、基区 有两个结：发射结、集电结 2、三极管用于放大时，首先保证发射结正偏、集电结反偏。 3、分析以NPN型硅三极管为例： ( 1)、BJT内部的载流子传输过程： 因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ IEN 。 发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到空穴后复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ IBN 。大部分到达了集电区的边缘。 因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子（漂移运动），形成电流ICN 。另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO（很小），所以IC≈ICN （2）、BJT的放大： 集电极电流受基极电流的控制（假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话）：基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：IC= βIB 即电流变化被放大了倍， (β叫做三极管的放大