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一. 填空 集成电路中的电阻分为金属层电阻, 多晶硅电阻和扩散电阻等. 金属层电阻的阻值只与该电阻的设计 _________ 有关; 多晶硅电阻和扩散电阻的阻值除与该电阻的设计 _________ 有关外还与导电区的 ___________ 有关. MOS 集成电路中的寄生电容大致可分为 _______________, __________ 和__________ 三大部分. 在 MOS传输门中, NMOS管对 _______ 电平传输有损耗, PMOS管对 _______ 电平传输有损耗. 高电平噪声容限MNH表达为___________________,低电平噪声容限MNL表达为___________________, 噪声容限MN表达为___________________。 存储器可以实现组合电路。若使用128 X 8bits 的存储体可实现___________个___________输入的逻辑函数。 CMOS 与非门电路直流特性设计中, 假设各管几何尺寸相同和工艺参数不变,最恶劣情况将发生在NMOS管 ___________ 的状态下, 这时输出_____电平最差. CMOS 或非门电路直流特性设计中, 假设各管几何尺寸相同和工艺参数不变,最恶劣情况将发生在NMOS管 ___________ 的状态下, 这时输出_____电平最差. 在MOS集成电路的制造实现中，N