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Film Growth Kinetics Film Growth Kinetics Film Growth Kinetics CVD Working Principle TiC气相沉积装置 CVD Reaction Types Pyrolysis Reduction Oxidation Compound formation Disproportionation Reversible transfer CVD Reaction Types Pyrolysis Chemical decomposition or charge induced by heat 热裂解反应 CVD Reaction Types Reduction CVD Reaction Types Oxidation CVD Reaction Types Compound Formation CVD Reaction Types Disproportionation CVD Reaction Types Reversible Transfer CVD 的优点 (1)在中温和高温下,通过气态的初始化合物之间的气相化学 反应而沉积固体; (2)可以在大气压(常压)或者低于大气压下进行沉积,一般说 低压效果更好些; (3)采用等离子和激光辅助技术可以显著促进化学反应,使 沉积可在较低的温度下进行; (4)镀层的化学成分可以改变,从而获得梯度沉积物或者得到 混合镀层; (5)可以控制镀层的密度和纯度; (6)绕镀性好,可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上沉积; (7)气体条件通常是层流的,可在基体表面形成厚的边界层; (8)沉积层通常具有柱状晶结构,不耐弯曲,但通过各种技术 对化学反应进行气相扰动,可以得到细晶粒的等轴沉积层; (9)可以形成多种金属、合金、陶瓷和化合物镀层。只要 原料气稍加改变,采用不同的工艺参数便可制备性能各异 的沉积层;可涂覆各种复杂形状工件,如带槽、沟、孔或 盲孔的工件;涂层与基体间结合力强等。 CVD 的缺点 (1)主要缺点是反应温度较高,沉积速率较低 (一般每小时只有几μm到几百μm),难以局部沉积; 　　 (2)参与沉积反应的气源和反应后的余气都有一定的毒性; 　　 (3)镀层很薄,已镀金属不能再磨削加工,如何防止热处理 畸变是一个很大的难题,这也限制了CVD法在钢铁材料 上的应用, 而多用于硬质合金。 Thermal CVD Films CVD技术根据反应类型或者压力可分为 低压CVD(LPCVD) 常压CVD(APCVD) 亚常压CVD(SACVD) 超高真空CVD(UHCVD) 等离子体增强CVD(PECVD) 高密度等离子体CVD(HDPCVD) 快热CVD(RTCVD) 金属有机物CVD(MOCVD) CVD技术 CVD 分类 CVD Reactor Types（常用） CVD Reactor Types 比较 制程 优点 缺点 应用 APCVD LPCVD PECVD 反应结构简单 沉积速率快 低温制程 高纯度 步阶覆盖极佳 可沉积大面积芯片 高纯度 步阶覆盖极佳 可沉积大面积芯片 步阶覆盖差 粒子污染 高温制程 低沉积速率 化学污染 粒子污染 低温气化物 高温氧化物 多晶硅 钨，硅化钨 低温绝缘体 钝化层 所谓的APCVD，顾名思义，就是在压力接近常压下进行CVD反应的一种沉积方式。 APCVD的操作压力接近1atm(101325Pa)，按照气体分子的平均自由径来推断，此时的气体分子间碰撞频率很高，是属于均匀成核的“气相反应”很容易发生，而产生微粒。因此在工业界APCVD的使用，大都集中在对微粒的忍受能力较大的工艺上，例如钝化保护处理。 Thermal CVD（APCVD） Thermal CVD（APCVD） 简单的连续供片常压反应器 LPCVD 低压化学气相沉积技术早在1962年Sandor等人就做了报道。 低压CVD的设计就是将反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作能力，降低到大约100Torr(1Torr=133.332Pa)一下的一种CVD反应。 由于低压下分子平均自由程增加，气态反应剂与副产品的质量传输速度加快，从而使形成沉积薄膜材料的反应速度加快，同时气体分布的不均匀性在很短时间内可以消除，所以能生长出厚度均匀的薄膜。 在低真空的条件下，利用硅烷气体、氮气（或氨气）和氧化亚氮，