GaN-化合物半导体.PDFVIP

技术 | Technology – GaN功率器件 GaN的单片集成 将沟道隔离与绝缘体上硅技术相结合，可 以实现完全隔离的功率器件单片集成。 Karen Geens，Marleen van•Hove 和 Stefaan Decoutere ，IMEC GaN 注定要彻底改变功率半导体行业。由于 更低、更简单的系统。另外，单片集成有助于更 具有更高的击穿强度、更快的开关速度、 好地控制寄生电容和电感，并具有出色的功率转 更高的热导率和更低的导通电阻，因此，它势必 换效率。 将取代传统的硅基功率芯片。 一个典型的可以从单片集成中受益的转换器 GaN 技术的发展始于低电压DC-DC 转换器 拓扑结构例子是半桥，这也是当今电力电子中最 和高压（600V ）电源开关应用。正因为如此，第 常用的开关电路拓扑结构之一。半桥由低端的开 一代基于GaN 的功率器件将在电池充电器、智能 关（源极处于低电位）和高端的开关（源极处于 手机、电脑、服务器、汽车行业、照明系统和光