栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型-中国科技论文在线.PDF

第 52卷 第 8期 2003年 8月 物 理 学 报 Vo1．52，No．8，August，2003 1000．．3290／2003／52(08)／2046．．06 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2003Chin．Phys．Soc． 栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型* 马仲发 庄奕琪 杜 磊 包军林 李伟华 (西 安 电子科技 大学微 电子研 究所 ，西 安 710071) (2oo2年 8月 7日收到 ；2002年 12月 13日收到修改稿) 在研究 了MOSFET栅氧化层介质经时击穿物理机制 的基础上 ，提 出了氧化层击穿的逾渗模型．认为氧化层 的 击穿是 E心和氧空位等深能级缺陷产生与积累 ，并最终形成 电导逾渗通路 的结果 ．指 出在 电场作用下 ，氧化层 中产 生深能级缺陷，缺陷形成定域态 ，定域态 的体积与外加 电场有关 ．随着应力时间的增长 ，氧化层 中的缺陷浓度增大 ， 定域态之 间的距离缩小 ．当定域态之 间的距离缩小到一个 阈值时 ，定域态之 间通过相互交叠形成逾渗通路 ，形成扩 展态 能级 ，漏 电流开始急剧增大 ，氧化层击 穿 ． 关键词 ：栅氧化层 ，TDDB，逾渗 ，模型 PACe：7360H ，7220J，7155，05O0 的总俘获空穴 电荷量一定 ．根据两种模 型 ，分别推导 1．引 言 出氧化层寿命与 电场强度 的两种关系式 ． E模 型 薄栅氧化层 的可靠性是 MOS集成 电路最重要 n In(TF) 一)，E ． (2) 的可靠性 问题之一Ll。j．通过改进工艺 、原材料 ，以及 B 』 采用小面积样 品，尽量减小针孔等随机缺 陷，使栅 1，E模 型 氧化层 的击 穿场强达 到 了 11MV／cm 的本征击 穿场 n In(TF) — 一G(1／E )． (3) 强 ．在超薄 siO 层 中，击 穿 场 强 可 高 达 16．4—30 B 』 MV／cmb (2)，(3)式 中 )，和 G分别为两种模 型 中的 电场加速 ． 但介质经时击 穿 (TDDB)问题 ，却变得越 来越重要 了．有关氧化层 TDDB问题 的研究很 多 ，其 因子 ，Q。和 Q：是两个过程 的激活能 ．以上两种模 中最受重视 的是氧化层的TDDB寿命 ．在 20世 纪 70 型 ，均能在一定 电场强度范 围内较好拟合实验数据 ， 年代后期 ，根据实验数据 ，有人提 出了关于栅氧化层 即 E模型在低 电场强度 (不高于 9MV／cm)范 围与 TDDB寿命拓展 的经验公式 TDDB实验数据拟合较好 ，而 1，E模型在高 电场强 H： 度 (高 于 9MV／cm)范 围与 TDDB实验数据拟合较 ln(TF) 一yE ， (1) ，cB 1 好 ．但两个模型都不能在整个 电场强