掺ga对zno新新电子态密度跟光学性质的影响.pdfVIP

59 9 20 10 9 第 卷第 期 年 月 物 理 学 报 Vol . 59 ，No . 9 ，September ，20 10 1000 -3290 / 20 10 / 59 (09 )/ 6466-07 ACTA PHYSICA SINICA 20 10 Chin . Phys. Soc . * Ga ZnO 掺 对 电子态密度和光学性质的影响 刘建军 ( ， 235000 ) 淮北师范大学物理与电子信息学院 淮北 (2009 12 24 ;20 10 1 16 ) 年 月 日收到 年 月 日收到修改稿 ， Ga ZnO 采用密度泛函理论下的第一性原理平面波赝势方法 研究了掺 对纤锌矿 电子态密度和光学性质的影 . Ga ZnO . Ga 2. 42 × 响 从晶体配位场理论分析了掺 前后 的成键情况及态密度的变化 计算得到掺 后电子浓度为 102 1 cm － 3 ，ZnO 104 . Ga ZnO 、 、 的载流子浓度提高了 倍 比较分析掺 前后 的介电函数 复折射率 吸收光谱和反射光谱 ，ZnO ， . ，ZnO ， 可得 光吸收边向高能端移动 光学带隙增大 在可见光区 光吸收系数与反射率减小 光透过率显著提 ， ZnO :Ga . 高 使 成为理想的透明导电材料 : ， ， ，ZnO :Ga 关键词 密度泛函理论 态密度 光学性质 PACC :7 115 M ，7 125 ，7840 G ［14 — 19 ］ 构计算的理论方法 . 本文用平面波赝势方法计 ZnO Ga 1. 引 言 算了纤锌矿结构的 晶体掺入杂质 的电子态 ， 密度和光学性质 利用晶体配位场理论探讨了掺杂 ZnO ， 近年来 半导体材料受到相当高的关注 被 微粒中