新种子层NiFeNb对坡莫合金电阻率和磁电阻的影响.pdfVIP

作者：刘俊 导师：郑瑞伦教授 第一章 绪论 §1．1磁电阻(MR)效应的研究进展 1．1．1、磁电阻(MR)效应的发现 实验发现，一些在外磁场中的物质当外磁场变化时其电阻(R)或电阻率(p) 会发生变化，该现象被称为物质的磁电阻(MR)效应。若无外场时，物质的电阻或 电阻率分别为Ro、风，则MR定义为f1卅 MR：生墨×100％,S茈MR：￡二鱼×100％。 (1．I) R0 Po 发现了各向异性磁电阻(』MR)效应，但由于陔效应较小，一直未引起人们的注意。 1971年．R．E 用研究之旅，也大大地促进了磁电子学的发展【4】。随后，这样小的磁电阻(实温AMR 值仅为2．5％左右)引起了计算机磁存储技术的深刻变化【4】。1 986年，E Grunberg等利 个数量级的MR效应，立刻引起了全世界的轰动口】，由于该MR为负且较大，故被称 为巨磁电阻(GMR)效应并定义为 GMR：墨趟x100％或GMR：旦业x100％(1．21 ％ po 随后十几年，人们通过大量的实验．在更多的材料和结构中发现了磁电阻效 1993年和1994年．R．B．Van 多层膜的GMR还大的磁电阻，称为特大磁电阻或庞磁电阻(C躲)效应“’…：1995年， 致灵敏度很高而备受青睐…1。 1．1．2、磁电阻材料的特点 1 第一章 绪论 100多年来，尤其是近30多年．人们已发现了广泛的磁电阻材料和结构，并研 究了它们的各种磁性能[12-is!。磁电阻材料和结构根据其自身特点的不同，其实际应 用也不同。为比较，现对几种磁电阻材料和结构的特点进行简单总结，见表1．1，其 中坡莫合金应属于AMR材料，此处引入坡莫合金是为了强调本文的研究。 表1．1：几种磁电阻材料和结构的特点 材 料 磁电阻 矫顽力 饱和场 温度系数 工艺制作 灵敏度 方向性 靛性价格 多层膜 大 大 大 大 难 低 苦向同性 好 低 隧道结 大 大 大 大 难 低 鲁向同性 好 低 颗粒膜 大 大 大 大 易 低 旨向同性 好 低 氧化物 大 大 大 大 难 低 鲁间同性 好 低 自旋阀 小 小 小 大 难 同 鲁向异怊 差 同 坡莫台金 小 小 小 小 易 局 鲁向异性 好 低 由表1．1知：与多层膜、隧道结、颗粒膜和氧化物的磁电阻相比，自旋阀和坡莫 台金的磁电阻虽然小，但由于它们的矫顽力和饱和场相对更小而使其灵敏度更高，因 此更具有实际应用价值。由文献知，自旋阀的灵敏度更高，在RAM及计算机读写磁 头方面更有应用价值和潜力【4】。但是．自旋阀的结构、制作工艺复杂，温度系数小， 性能稳定性差，而坡莫合金虽灵敏度稍低于自旋阀，但由于它的制作工艺简单，温度 系数小，性能稳定和价格便宜等特点而在实际应用方面更受重视，尤其在传感器方面 仍然具有广阔的应用前景。 §1．2磁电阻(MR)效应的应用和来源 L2．1磁电阻效应的应用 上世纪七十年代以来至今，MR效应之所以一直备受全世界持久的关注，原因在 于MR效应的重大的应用价值和广阔的应用前景。MR器件多次引起计算机存储系统 的变革，它的基础研究及应用和开发研究几乎是齐头并迸，它不仅在学术界，而