奈米线为一维奈米材料.ppt

48.（ ○ ）奈米結構改變材料的光電磁熱特性 49.（）一維材料的合成方法可用化學氣相沈積 49.（○）一維材料的合成方法可用化學氣相沈積 50.（） SFLS稱為超臨界流體-液-固 50.（○） SFLS稱為超臨界流體-液-固 32.（○）分析UV 燈源照射下,感測元件之反應時間與回覆時間稱為UV感測 33.（） UV稱為紫外光 33.（ ○ ） UV稱為紫外光 34.（）分析場發射特性時需抽真空 34.（○）分析場發射特性時需抽真空 35.（）50 Torr 稱為低真空 35.（○）50 Torr 稱為低真空 36.（） 10-2 Torr 稱為低真空 36.（×） 10-2 Torr 稱為低真空 37.（） 10-5 Torr 稱為高真空 37.（○） 10-5 Torr 稱為高真空 38.（）抽真空時需先開渦輪幫浦 38.（ × ）抽真空時需先開渦輪幫浦 39.（）分析場發射特性時需量測極限值 39.（ ○ ）分析場發射特性時需量測極限值 40.（）分析場發射特性時起始電壓越低越好 40.（ ○ ）分析場發射特性時起始電壓越低越好 41.（）V＝E × L 41.（○）V＝E × L 42.（）分析UV特性時反應時間與回覆時間越高越好 42.（ × ）分析UV特性時反應時間與回覆時間越高越好 43.（）分析氣體感測時反應時間與回覆時間越高越好 43.（×）分析氣體感測時反應時間與回覆時間越高越好 44.（）氧化鋅的Bandgap energy 在室溫時為（1） 3.37 eV（2） 4.37 eV （3） 5.37 eV （4） 3.27 eV  44.（1）氧化鋅的Bandgap energy 在室溫時為（1） 3.37 eV（2） 4.37eV（3） 5.37 eV （4） 3.27 eV  45.（）氧化鋅的Thermoelectric Constant at 573 K 為（1） 1200 mV/K （2） 1400 mV/K （3） 1500 mV/K （4） 1100 mV/K  45.（1）氧化鋅的Thermoelectric Constant at 573 K 為（1） 1200 mV/K （2） 1400 mV/K （3） 1500 mV/K （4） 1100 mV/K  46.（）氧化鋅可應用於太陽能電池 46.（ ○ ）氧化鋅可應用於太陽能電池 47.（）何為 Solar cells 47.（太陽能電池）何為 Solar cells 48.（）奈米結構改變材料的光電磁熱特性 16.（ ○ ）ZnO奈米線的Lattice constants at room temp為a=3.250, c=5.205  17.（）ZnO為P-Type 17.（ ○ ）ZnO為P-Type 18.（）合成奈米線時須放置在爐管中央 18.（ ○ ）合成奈米線時須放置在爐管中央 19.（）本實驗鋅粉取（1）0.3 g （2） 1.0 g （3） 2.0g （4）3.3 g  19.（1）本實驗鋅粉取（1）0.3 g （2） 1.0 g （3） 2.0g （4）3.3 g  20.（）ZnO奈米線摻雜何種材料 20.（Al）ZnO奈米線摻雜何種材料 21.（）奈米線具有高比表面積 21.（○）奈米線具有高比表面積 22.（）奈米線易於應用感測元件 22.（ ○ ）奈米線易於應用感測元件 23.（）奈米線易於應用雷測元件 23.（○）奈米線易於應用雷測元件 24.（） SEM 全名 24.（掃描式電子顯微鏡） SEM 全名 25.（） TEM全名 25.（穿透式電子顯微鏡） TEM全名 26.（） SEM 試片製作需鍍金 26.（○） SEM 試片製作需鍍金 27.（）製作奈米線的TEM 試片必需使用超音波震盪 27.（ ○ ）製作奈米線的TEM 試片必需使用超音波震盪 28.（）超音波震盪使用時間為20分 28.（×）超音波震盪使用時間為20分 29.（）如何判定是VLS或VS  29.（有無鍍金）如何判定是VLS或VS  30.（）分析起始電場與飽和電流曲線稱為場發射特性 30.（ ○ ）分析起始電場與飽和電流曲線稱為場發射特性 31.（）分析感測元件對酒精氣體的反應時間與回覆時間稱為氣體感測 31.（ ○ ）分析感測元件對酒精氣體的反應時間與回覆時間稱為氣體感測 32.（）分析UV 燈源照射下,感測元件之反應時間與回覆時間稱為UV感測 1.（）何謂奈米的單位（1） mm （2） um （3） cm （4） nm  1.（4）何謂奈米的單位（1） mm （2） um （3） cm （4） nm  2.（）奈米線為一維奈米材料 2