晶振电路设计.doc

模拟电路部分晶振设计 振荡器原理 振荡器是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。从能量的角度来说，正弦波振荡器是通过自激方式把直流电能转换为特定频率和幅度的正弦交变能量的电路。 对于任何一个带有反馈的放大电路，都可以画成下图所示结构： 图4 振荡器 当增益满足，且相位条件满足时，构成正反馈环路，起振条件得以满足。上图即构成一个振荡器。 晶振原理 当在晶体两端加上一定的交变电场,晶片就会产生机械形变, 石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应制的一种谐振器件, 若在石英晶体的两个电极上加一电场,晶片就会产生机械变形。同时这个机械形变又会产生相应的交变电压,并且其特征频率下的振幅比其他频率点的振幅大得多。根据这个特点,为了得到低的起振电压和短的起振时间,在晶体两端施加的交变电压的频谱能量应主要集中在晶体的特征频率附近。 在一般情况下,晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小,但当外加交变电压的频率为某一特定值时,振幅明显加大,比其他频率下的振幅大得多,这种现象称为压电谐振。石英晶体振荡器的等效电路如图5 所示。当用石英晶体组成并联谐振电路时,晶体表现为 感性,其等效品质因数Q 值很高。等效阻抗2频率特性如图6所示。 图5 晶振等效电路 图6 晶振等效阻抗 图6中，Fr为串联谐振点。在频率为时，图2中串联的L、C谐振，串联支路等效为一个纯电阻。Fa为并联谐振点，此时串联支路等效为电感，与并联的C0谐振，。此时等效阻抗趋于无穷大。通常这两个频率点之间的差值很小。 总的来说，可以认为晶振在串联谐振时表现为电阻，在并联谐振时表现为电感。这里建议设计时采用并联谐振。 Pierce Oscillator 图7 振荡电路 倒相器作为放大器，同时提供180度的相移。而晶振及负阻电容作为反馈回路，提供剩下的180度相移。RF为反馈电阻，用来决定倒相器的直流工作点，使之工作在高增益区（线性区）。这个电阻值不能太小，否则会导致环路无法振荡。该电路利用晶振的并联谐振，由于并联谐振与C0有关，会受寄生电容影响，因此增加负载电容C1、C2，可减小C0对谐振频率的影响。同时C1、C2的加入会影响起振时间和振荡频率的准确度。负载电容的选择，应根据晶振供应商提供的datasheet的数值选择。在许可范围内，负载电容值越低越好。容值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增加起振时间。 Rs用于抑制高次谐波，从而使振荡器获得较为纯净的频谱。Rs的值若太小的话，可能会导致晶振的过分驱动（overdrive），导致晶振损坏或寿命减短。通常取。Rs的影响可以由下图看出。 图8 Rs的影响（来自参考资料） 电路分析 图9 xtal电路原理图 如图9，PM0和NM0构成倒相器，与片外电路共同组成振荡环路。PM7~PM9和NM7~NM9组成施密特触发器，对波形进行整形和放大。输出信号再经过两级倒相器，以提高输出级驱动能力。 hspice网表 .GLOBAL VDD VSS *.PININFO XIN:I XC:O XOUT:O //内部电路 R6 net_0106 XOUT 300.135 $[RNDIFSAB] R0 XIN net21 300.135 $[RNDIFSAB] MPM11 XC net075 VDD VDD P18 W=5u L=180.0n M=7 MPM10 net075 net60 VDD VDD P33 W=5u L=300.0n M=6 MPM9 VSS net60 net_062 VDD P18 W=500n L=3u M=1 MPM7 net_062 net_0106 VDD VDD P18 W=750.0n L=3u M=1 MPM8 net60 net_0106 net_062 VDD P18 W=750.0n L=3u M=1 MPM0 XOUT net21 VDD VDD P18 W=600n L=3u M=2 MNM11 XC net075 VSS VSS N18 W=2u L=180.0n M=6 MNM10 net075 net60 VSS VSS N33 W=2u L=350.0n M=2 MNM9 VDD net60 net_061 VSS N18 W=420n L=3.5u M=1 MNM7 net_061 net_0106 VSS VSS N18 W=420n L=3.5u M=1 MNM8 net60 net_0106 net_061 VSS N18 W=420n L=3.5u M=1 MNM0 XOUT net21 VSS VSS N18 W=560.0n L=4u M=1 R3 XOUT net7