气相沉积技术原理.pptVIP

2008年9月4 第一章 气相沉积技术 薄膜极其制备方法 真空技术基础 真空蒸镀 溅射镀膜 离子镀 第一节 薄膜及其制备方法 一、薄膜的定义和基本性质 1.1 薄膜(thin film) A thin film is a layer of material ranging from fractions of a nanometer (monolayer) to several micrometers in thickness. 按照一定的需要，利用特殊的制备技术，在基体表面形成的纳米(单原子层)到微米级厚度的膜层。 实现离子镀的条件 造成一个气体放电的空间 将镀料原子引进放电空间，使其部分离化 二.几种常见的离子镀 离子镀设备要在真空、气体放电的条件下完成镀膜和离子轰击过程。因此，离子镀设备要由真空室、蒸发源、高压电源、离化装置、放置工件的阴极等部分组成。 2.1 气体放电等离子体离子镀 设备与真空蒸镀相似；工件架对地是绝缘的 向真空室充氩气，当气压达到一定值，电压梯度适当时，蒸发源与基材之间产生辉光放电，蒸发便在气体放电中进行 2.2 射频放电离子镀 1972年Moley和Smith最先把空心热阴极放电技术用于薄膜沉积。 1973年日本真空株式会社也开始这方面的研究。当时的目的之一是利用真空的办法代替传统的水溶液电镀铬，以解决日益严重的环境污染问题。 2.3 空心阴极放电离子镀