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第八章 pn结二极管;第八章pn结二极管;8.1 pn 结电流;0偏;;2.加正偏电压;正偏时的能带/电路混合图; 3.反向偏置： 势垒高度变高，n型一侧几乎没有电子能越过势垒进入p区，p区一侧有相同数目的电子进入耗尽层扫入n区，形成少子漂移流，同理n区的空穴漂移形成IP，因与少子相关，所以电流很小，又因为少子的漂移与势垒高度无关，所以反向电流与外加电压无关。;反偏时的能带/电路混合图;;8.1.2 理想的电流-电压关系;(4) 忽略耗尽区内的产生与复合，即认为 电子、空穴通过势垒区所需时间很短，来不及产生与复合，故通过 势垒区的电子电流和空穴电流为恒定值。 ;Figure 8.3;8.1.2 理想的电流-电压关系;Figure 8.3;8.1.2 理想的电流-电压关系;Figure 8.4;;P区;扩散方程;8.1.2 理想的电流-电压关系;正偏时的过剩少子浓度分布;电子电流和空穴电流的分布图;;8.1.2 理想的电流-电压关系;Figure 8.8;;;反向偏置下p-n结费米能级;短二极管;扩散方程;;8.2 产生-复合流;耗尽层中载流子的复合和产生;8.2.1 反偏产生电流;Figure 8.17;;势垒区宽度W随反向偏压的增加而变宽， JG随反向电压增加而增加，所以势垒区产生的电流是不饱和的，反向总电流IR随反向偏压增加而缓慢地增加。;反偏产生流JG的推导;为简单起见，假设复合中心能级处于本征费米能级所在的位置，则：;;8.2.2正偏复合流;;正偏复合电流的推导;;;;总正偏电流;;8.2 pn 结的小信号模型;8.2.1 扩散电阻;势垒电容C j：形成空间电荷区的电荷随外加电压变化 扩散电容Cd：p-n结两边扩散区中，当加正向偏压时， 有少子的注入，并积累电荷，它也随外 电压而变化.扩散区的电荷数量随外加电 压的变化所产生的电容效应。;;8.2.2 小信号导纳;;(c);小信号导纳;导纳关系式的数学分析（略）;8.4 pn结的击穿;齐纳击穿;反向偏置pn结二极管中 齐纳击穿过程的示意图; 二极管的耗尽层宽度小于10-6cm，轻掺杂一侧的杂质浓度高于1017cm,齐纳过程比较显著，对应的二极管的击穿电压比较小，当VBR4Eg/e,齐纳过程起主导作用。;雪崩击穿;假设在x=0处，反偏电子电流In0进入了耗尽区, 由于雪崩效应的存在，电子电流In会??距离增大而增大，如图所示：在x=W处，电子电流 In(W)=MnIn0 Mn为倍增因子 空穴电流也类似;耗尽层中任一点x处的增量电子电流可表达为：;;使倍增因子达到无穷大的电压定义为雪崩电压，即： ;;P+n和n+p突变结，击穿电压随轻掺杂一侧杂质浓度的变化关系图;单边突变结和线性缓变结的击穿电压随掺杂浓度的变化曲线; 隧穿效应：量子力学中，势垒比较薄时，粒子能穿过势垒到达另一边。 隧穿发生的两个条件： 1、势垒一边有填充态，另 一边同能级有未填充态 2、势垒宽度小于10-6cm;n区和p区都为简并掺杂的pn结称为隧道二极管 n型材料的费米能级进入导带，p型材料的费米能级进入价带;隧道二极管电流电压特性的定性讨论 零偏， 电流，电压均为零 加很小正偏压，n区导带中的电子与P区价带中的空态直接对应，发生遂穿，形成电流 n区内的导带与p区内的价带中，能量相同的量子态达到最多，遂穿电流达到最大值 偏压继续增大，n区与p区中能量相同的量子态在减少，遂穿电流下降 n区与p区中能量相同的量子态数为零，遂穿电流为零，但扩散电流仍然存在。 电流随电压增大而减小的区域，称为负微分电阻区;8.6隧道二极管;8.5 电荷存储与二极管瞬态;8.5.1 关瞬态;8.5.1 关瞬态;1.存贮延???的的定性分析;;2.存贮延迟时间的定量分析;结论：;结论：存贮时间随着IF的增加而增加，随着IR的 增加而减少，并且与?p成正比。 制作开关二极管可通过缩短少子寿命提高开关速度，有目的的引入复合中心， 这个结论可用来测量少子寿命 ;8.5.2 瞬态开启特性;在响应的第一阶段，即从t=0到va=0的过程极其短暂，只要有少数几个少子的注入，就把结电压提高到0了。多数载流子也迅速再分布使耗尽区缩小到零偏的宽度。;在瞬态开启期间p+n二极管 内部空穴存贮电荷的积累