常用的半导体元件.ppt

第一章 常用半导体器件 图1.1.3 N型半导体 图1.1.4 P型半导体 图1.1.5 PN结的形成 二、 PN 结的单向导电性：正向导通、反向截止。 图1.1.7 PN结加反向电压时截止 五、 PN结的电容效应 给PN结加上变化的电压，PN结将呈现电容效应。（电压变化时有电荷的堆积与泄放的过程） 图1.1.12 P区少子浓度分布曲线 当uGS一定时，随着uDS增大， uGD减小，靠近漏端的沟道深度也减小，直到uGD= UGS(th)，即uGS-uDS=UGS(th) 或 时，靠近漏端的反型层消失，沟道在A点被夹断，称为预夹断， 如图1-36（d）所示。如果uDS继续增大，夹断区域延长，如图1- 36（e）所示。以后，由于uDS的增大部分几乎全部用于克服夹断 区对漏极电流的阻力，因此iD几乎不随uDS的增大而变化，管子 进入恒流区，iD基本上由uGS控制。 图 1-29 结型场效应管的结构示意图和符号 (a) 结构示意图； (b) N沟道JFET符号； (c) P沟道JFET符号 S源极 一、结型场效应管工作原理 JFET正常工作时，JFET的PN结必须加反偏电压。对于N沟道的JFET， 在栅极和源极之间应加负电压（即栅源电压uGS0）， 使P+N结处于反向偏置，随着栅源电压uGS变化，两个P+N结的结宽，即耗尽层的宽度发生变化，导电沟道也跟着变化；在漏极和源极加正电压（即漏源电压uDS0），以形成漏极电流iD。在外加电压uGS一定时，iD的大小由导电沟道的宽度决定。 1）uGS对导电沟道的控制作用 令uDS=0，即将漏极和源极短接，此时N沟道宽度仅受栅源电压uGS的影响。  当uDS=0，且uGS=0时，P+N结耗尽层最窄，导电沟道最宽, 如图1-30（a）所示。当|uGS|增大时，反向电压加大，耗尽层加宽， 导电沟道变窄，如图1-30（b）所示，沟道电阻增大。当|uGS|增大到一定数值时，沟道两侧的耗尽层相碰，导电沟道消失，如图1-30（c）所示，沟道电阻趋于无穷大，称此时的uGS为夹断电压，记作UGS(off)。N沟道的夹断电压UGS(off)是一个负值。 图 1-30 2） uDS对iD的影响 当uGS一定时，若uDS=0，虽然存在导电沟道，但是多数载流子不会产生定向移动，所以漏极电流iD为零。 当加上漏源电压uDS＞0后，多数载流子——自由电子在导电沟道上定向移动，形成了漏极电流iD，同时在导电沟道上产生了由漏极到源极的电压降。 这样从漏极到源极的不同位置上，栅极与沟道之间的P+N结上所加的反向偏置电压是不等的，靠近漏端的P+N结上，反偏电压uGD=uGS-uDS最大，耗尽层最宽，沟道最窄；靠近源端的P+N结上，反偏电压uGS最小，耗尽层最窄，沟道最宽，导电沟道呈楔形，如图1-31（a）所示。由图可见，由于uDS的影响，导电沟道的宽度由漏极到源极逐渐变宽，沟道电阻逐渐减小。 在uDS较小时，沟道靠近漏端的宽度仍然较大，沟道电阻对漏极电流iD的影响较小，漏极电流iD随uDS的增大而线性增加， 漏-源之间呈电阻特性。随着uDS的增大，靠近漏端的耗尽层加宽， 沟道变窄，如图1-31（b）所示，沟道电阻增大，iD随uDS的增大而缓慢地增加。  当uDS的增加使得uGD=uGS-uDS=UGS(off)，即uDS=uGS-UGS(off)时， 靠近漏端两边的P+N结在沟道中A点相碰，这种情况称为预夹断，如图1-31（c）所示。在预夹断处，uDS仍能克服沟道电阻的阻力将电子拉过夹断点，形成电流iD。 当uDSuGS-UGS(off)以后，相碰的耗尽层扩大，A点向源端移动，如图1-31（d）所示。由于耗尽层的电阻比沟道电阻大得多， 因此uDSuGS-UGS(off)的部分几乎全部降在相碰的耗尽层上，夹断点A与源极之间沟道上的电场基本保持在预夹断时的强度，iD基本不随uDS的增加而增大，iD基本不变，漏极电流趋于恒流。当uDS为一常量时，对确定的uGS，就有确定的iD。此时，可通过改变uGS来控制iD的大小。从而实现栅源电压控制漏极电流。称场效应管为电压控制元件（VCCS）。 若uDS继续增加，最终将会导致P+N结发生反向击穿，漏极电流迅速上升。 ? 图 1-31 综上分析，uGS和uDS对导电沟道均有影响，但改变uGS，P+N结的宽度发生改变，整个沟道宽度改变，沟道电阻改变，漏极电流跟着改变， 所以漏极电流主要受栅源电压uGS的控制。  由以上分析可得