电子技术原理第5章场效应管放大电路.ppt

增强型MOS管特性小结 耗尽型MOSFET的特性曲线 场效应管与晶体管的比较 结型场效应管的特性小结 ☆5.5 各种放大器件电路性能比较 3. 小信号模型分析 （2）输入输出电阻 Ro 本章作业 5.1.1；5.1.2； 5.2.4；5.2.5； 5.3.5；5.3.8； 5.5.1。 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3 结型场效应管 1. N沟道结构 5.3.1 JFET的结构和工作原理 2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时 当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? vGS继续减小，沟道继续变窄。 注意：加的是反偏电压 ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS? ? iD ? g、d间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? iD基本不变 ? ③ vGS和vDS同时作用时 当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断， 对于同样的vDS ， iD的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP 综上可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 2. 转移特性 1. 输出特性 (VP≤vGS≤0) 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 N沟道JFET工作条件：Vpvgs?0；vDS vGS－VP 0 与MOSFET类似 3. 主要参数 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 vpvgs?0 iD流入d端 0?vgs vp iD流出d端 1. JFET小信号模型 （1）低频模型 ☆5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 2. 动态指标分析 （1）小信号模型 直流条件是否满足： 小信号等效电路 rds可看作?，可不画出 （2）电压增益 （3）输入电阻 （4）输出电阻 则: * 5.1 金属-氧化物-半导体场效应（MOSFET） 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 ☆5.5 各种放大器件电路性能比较 ☆5.2 MOSFET放大电路 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应（不讲） 5.1 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET MOSFET 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类： Metal Oxide Semiconductor —— MOSFET 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 增强型： 没有导电沟道， 耗尽型： 存在导电沟道， N沟道 P沟道 增强型 N沟道 P沟道 耗尽型 L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W L 1. 结构 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 剖面图 1. 结构（N沟道） vGS越大，导电沟道越厚，沟道电阻越小。 （1）vGS对沟道的控制作用 ①当vGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，无电流产生。 ②当0vGS VT 时 VT 称为开启电压 产生电场，但未形成导电沟道，d、s间加电压后，没有电流产生。 ③当vGS≥VT 时 在电场作用下产生导电沟道， d、s 间加电压后，有电流产生。 2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 ?靠近漏极d处的电位升高 ?电场强度减小 ?沟道变薄 当vGS一定（vGS