数字的视网膜.docVIP

PAGE PAGE 1 数字的视网膜 　　众所周知，影像传感器最初是由CCD一统天下的，它被广泛应用于数码相机、监控摄像机、扫描仪等电子设备中。而CMOS只能算作后起之秀，但却已基本垄断了这些设备的核心，几乎将CCD从这些领域中驱逐出去。目前，在数码相机和手机等影像设备中，CMOS已全面开花。卡片式数码相机普遍会采用背照式CMOS（BSICMOS），尺寸普遍处于1/2.3规格（约为6.17mm×4.55mm），像素数普遍处于1200～1800万之间。而专业卡片数码相机则普遍采用1/1.63或1/1.7规格的普通CCD，尺寸约为7.44mm×5.58mm左右，像素数也普遍处于1000万的水平。2012年下半年，由于背照式CMOS工艺技术的提升，突破了1/2.3规格的尺寸限制，达到了1/1.7规格。同时，像素数也扩展至1200万。几乎同时，很多专业卡片机型纷纷采用了这一规格的背照式CMOS，例如尼康P7700和奥林巴斯的XZ-2等。 　　在数码单反相机中，由于定位的不同，影像传感器主要分为APS-C画幅和全画幅两种CMOS尺寸。其中，APS-C画幅影像传感器的尺寸普遍为23.5mm×15.6mm，但由于采用的CMOS传感器不同，像素数从1600～2400万不等；而全画幅数码单反相机的CMOS尺寸与35mm胶片相等，尺寸为36mm×24mm，像素数由1800～3600万不等。而在时下最为火热的微单数码相机领域中，影像传感器以M4/3和APS-C两种画幅的CMOS为主，像素数保持在1600～2000万左右。 　　除了以上常规机型均采用CMOS影像传感器且尺寸和像素数皆有规律可循之外，还有很多机型采用了特殊的CMOS尺寸和像素数。更有甚者，某些机型还对CMOS传感器进行了极有特色的改良。如富士胶片的X100、X-Pro1和X-E1等。其中，同属微单机型的X-Pro1和X-E1，对CMOS传感器采用了更令人惊奇的改造（X-TransCMOS），它以6×6的RGB色彩滤镜排列方式取代了传统拜耳的2×2排列方式，并且取消了低通滤镜，以1600万像素的影像传感器获得了相当于2400万像素传感器所能达到的分辨率水平，而且避免了摩尔纹和伪色的出现。与之类似，尼康D800E取消了低通滤镜的高频分离效果，保留了CMOS传感器应有的高分辨率影像。 　　未来，随着技术的进步，背照式CMOS的规格有可能继续增大，突破1/1.7的规格，甚至达到APS-C的规格，而去除低通滤镜的CMOS也将会在各机型中逐渐蔓延开来，改变色彩滤镜排列的设计理念也会被其他厂商所效仿。此外，在手机摄像头的CMOS中，索尼继背照式CMOS技术之后，还研发出了堆叠式CMOS技术，扩展了单体像素的感光性能，提升手机等设备在暗光环境中的拍摄性能。 　　CCD影像传感器 　　CCD（电荷耦合器件）是一种可用于捕捉图像的感光半导体芯片，自1970年由贝尔实验室发明之后，就被广泛用于摄像机和照相机之中。它是由微透镜、分色滤色片和感光二极管所组成。其中，每个光电二极管便是一个单体像素。光信号被二极管捕捉后，转换为模拟电信号，整列像素的模拟信号经由A/D模数转换器转换为数字信号，再由影像处理器进行运算后即可转换成数字成像。在CCD中，每一行中每一个像素的电荷数据都会依次传送到下一个像素中，由最底端部分输出，再经由传感器边缘的放大器和A/D转换器进行放大输出。因此，CCD对制造工艺的要求较高也较为复杂，功耗也较大。 　　在成像质量方面，CCD采用了二氧化硅（sio2）等隔离层来隔离电子信号的噪声，相对噪点低，影像通透，成像质量较高。但是由于CCD是采用电荷传递的方式传输信息，所以只要其中有一个像素不能工作，就会导致一整排的信息不能传送。多年前，CHIP编辑曾使用的一块CCD数码后背就出现过这样的情形：由一个坏点开始，随着使用次数的增加，坏点逐渐连成一列，最后形成一列“坏道”，造成后期处理的困难。 　　CMOS影像传感器 　　CMOS（互补氧化金属半导体）的主要结构与CCD大致相同。但是CMOS与CCD在模拟电信号的输出方式以及A/D模数转换器布置方式上有所不同，这导致了二者在制造工艺、功耗以及性能表现方面存在较大的差别。在CMOS中，每个像素都会配置一个独立的放大器及A/D模数转换器，用类似内存电路的方式输出数字信号。与CCD相比，CMOS的制造工艺较简单，功耗较小（约为CCD的1/8左右）。 　　但是早期CMOS传感器受当时制造工艺的限制，其电子元件的集成度较高，各元件间的光、电和磁干扰较为严重，电子噪声较大，因而成像质量明显弱于CCD。后来，随着半导体加工工艺的进步，有源像素、噪声补正线路以及纳米级加工工艺出现之后，CMOS的电子噪声得以更好的控制，且灵敏度也大幅提高，功耗也降至更低。在CM