MOS场效应管放大电路.pptVIP

§5.3 场效应管放大电路 场效应管的源极、栅极和漏极分别对应于晶体管的射极、基极和集电极。与晶体管的共射、共基和共集三种组态相对应，场效应管也有共源、共栅和共漏三种组态。 §5.3 场效应管放大电路 一、场效应管的偏置电路 二、场效应管静态工作点的确定 三、场效应管的动态分析 四、场效应管三种组态放大性能的比较 五、应用举例 一、场效应管的偏置电路 与晶体管放大器类似，静态工作点的设置对放大器的性能至关重要。在场效应管放大器中，由于结型场效应管与耗尽型MOS场效应管的uGS=0时，iD?0，故可以采用自偏压方式，如图所示： 一、场效应管的偏置电路 在静态时，场效应管栅极电流为零，因此栅极电压为零；而漏极电流不为零，必然在源极电阻上产生压降，使栅源电压为负，获得合适的工作点。 一、场效应管的偏置电路 对于增强型MOSFET，由于uGS=0时，iD=0，故一定要采用分压式偏置或混合式偏置方式，如图所示： 一、场效应管的偏置电路 二、场效应管静态工作点的确定 1、图解法  在场效应管的转移特性曲线上做出栅源回路直流负载线的方程，其交点即为工作点。 二、场效应管静态工作点的确定 对于（a)图，Q1为JFET的工作点，Q2为耗尽型MOSFET的工作点； 对于（b)图，Q1为JFET的工作点，Q2为耗尽型MOSFET的工作点，Q3增强型MOSFET的工作点。 二、场效应管静态工作点的确定 2、解析法 ⑴耗尽型场效应管的电流方程为： 把它在静态时的表达式与栅源间静态电压的表达式联立即可求出IDQ和UDSQ： 二、场效应管静态工作点的确定 ⑵增强型场效应管的电流方程为： 把它在静态时的表达式与栅源间静态电压的表达式联立即可求出IDQ和UDSQ： 二、场效应管静态工作点的确定 把下式代入上式，解关于iD的二次方程，有两个根，舍去不合理的一个根，留下合理的一个根便是IDQ。 而 三、场效应管的动态分析 1、场效应管的小信号等效模型 2、共源放大电路的分析 3、共漏放大电路的分析 4、共栅放大电路的分析 场效应管的低频小信号等效模型 与晶体管模型的导出相类似，iD是uGS 和uDS的函数： iD=f(uGS， uDS） 研究动态信号时用全微分表示： 场效应管的低频小信号等效模型 定义： 当信号较小时，管子的电压、电流仅在Q点附近变化，可以认为是线形的，gm与rds近似为常数，用有效值表示： 场效应管的低频小信号等效模型 由此式可画出场效应管的低频小信号等效模型： 可见场效应管的低频小信号等效模型比晶体管还要简单。 场效应管的低频小信号等效模型 可以从场效应管的转移特性和输出特性曲线上求出gm与rds： ⑴由转移特性曲线可知，gm是uDS=UDSQ那条曲线上Q点处的导数。由于gm是输出回路电流与输入回路电压之比，所以称为跨导。 场效应管的低频小信号等效模型 ⑵由输出特性曲线可知， rds是uGS=UGSQ这条曲线上Q点处斜率的倒数，描述曲线上翘的程度。 场效应管的低频小信号等效模型 由于rds的值很大，可以忽略，得到简化的等效模型： 场效应管的低频小信号等效模型 对增强型MOS管，可用电流方程求出gm的表达式： 场效应管的低频小信号等效模型 增强型MOS管在小信号作用时，可用IDQ代替iD，得出： 场效应管的低频小信号等效模型 对耗尽型MOS管，同样可用电流方程作类似的推导求出gm的表达式，电流方程和推导如下： 场效应管的低频小信号等效模型 耗尽型MOS管在小信号作用时，可用IDQ代替iD，得出： 场效应管的高频等效模型 场效应管各极之间同样也存在电容，因而其高频响应与晶体管类似。根据结构可得高频模型如下： 场效应管的高频等效模型 大多数场效应管的参数如下表： 场效应管的高频等效模型 从表中可以看出，rgs和rds数值很大，可以忽略；跨接在g~d之间的电容Cgd可以用与晶体管分析相同的方法折合到输入和输出回路： 场效应管的高频等效模型 由于输出回路的时间常数比输入回路小得多，可忽略 的影响，综上所述，可得简化模型: 2、共源放大电路的分析 ⑴ 电路结构 2、共源放大电路的分析 ⑵交流分析 先画出交流通路： 2、共源放大电路的分析 ⑵交流分析 再画出交流等效电路： 2、共源放大电路的分析 再根据等效电路计算交流性能： ① 电压放大倍数